FET类型 | 1个N沟道 | 栅源截止电压(VGS(off)@ID) | 15V |
栅源击穿电压(V(BR)GSS) | 15V | 功率(Pd) | 200mW |
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0) | 32mA@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 35pF@5V |
2SK3557-7-TB-E 是一款由安森美(ON Semiconductor)公司生产的 N 通道结型场效应管(JFET),具有优良的电气性能和可靠的工作特性,广泛应用于各种电子电路中。作为一款高效能的元件,2SK3557-7-TB-E 适用于低功耗、高频率的信号处理和放大应用。
频率:1kHz
测试电压:5V
测试电流:1mA
额定电压:15V
额定电流:50mA
噪声系数:1dB
封装形式:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
音频放大器
传感器信号放大
低功耗电路
开关电路
仪器仪表
总的来说,2SK3557-7-TB-E 是一款功能强大的 N 通道 JFET,凭借其优越的噪声性能和可靠的电气特性,在多种电子应用中表现出色。它不仅能够满足低功耗、高频率信号的放大需求,同时也为设计工程师提供了更多灵活的选择。作为安森美的高质量产品,2SK3557-7-TB-E 适用于各种要求高性能和低功耗的应用场合,展现出其在现代电子设计中的重要价值。