晶体管类型 | 1个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 30mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 33@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 5V@2mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1V@2mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@5mA,0.25mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
基础信息
概述
DDTC144VE-7-F 是一款高性能的数字晶体管,采用 SOT-523 封装,具有 NPN 结构设计。这款器件的主要特点包括较高的功率处理能力和稳定的性能,适合多种电子应用场景。它的最大功率可达 150mW,允许的集电极到发射极电压为 50V,最大集电极电流为 100mA。这些参数使产品能够满足低功耗数字电路及开关电路的需求。
封装特点
DDTC144VE-7-F 采用行业标准的 SOT-523 封装,这种封装因其小型化和高效能而广泛应用于各类便携式设备与较小的电路板设计中。SOT-523 封装相较于传统的较大封装,能够有效降低电路板的占用空间,提高设计灵活性与集成度。
应用场景
由于其高集成度和出色的电气性能,DDTC144VE-7-F 通常被用于以下几种应用:
技术优势
与市面上类似产品对比,DDTC144VE-7-F 产品以出色的性能和优质的制造工艺脱颖而出:
注意事项
尽管 DDTC144VE-7-F 拥有众多优点,但用户在设计时仍需注意以下几点:
总结
DDTC144VE-7-F 是一款功能强大、应用广泛的数字晶体管,适合多种低功耗电路设计。其卓越的电气性能、紧凑的封装设计和优质的制造工艺,使其成为现代电子设备设计中不可或缺的元器件之一。尽管目前被标识为停产,依然具有较高的参考价值,为后续设计提供了宝贵的经验和技术基础。