集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 20@10mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V@10mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V@100uA,5V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | 输入电阻 | 180mΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTC143EUA-7-F是一款出色的数字NPN晶体管,设计用于各种低功耗电子应用,特别是在信号处理和开关电路中的使用。作为美台品牌DIODES推出的产品,这款晶体管在性能和稳定性方面具有显著优势,适合现代电子设备的严苛要求。
晶体管类型:DDTC143EUA-7-F作为NPN类型的预偏置晶体管,具有较好的电流和电压控制特性。它适用于大多数标准的低功耗信号放大和开关电路。
电流和电压规范:
增益特性:
饱和压降:
频率响应:该器件具有250MHz的跃迁频率,适用于高频应用,比如RF放大器或高速数字电路,确保信号的快速传递和处理。
封装和安装类型:DDTC143EUA-7-F采用小型SOT-323封装,适合表面贴装技术(SMT)应用,便于高密度PCB布局,节省空间并提高产品集成度。
功耗:最大功率为200mW,适合长时间运行的低功耗电子产品,能够有效降低功耗带来的热量产生,延长产品的使用寿命。
截止电流:在无信号输入时,集电极截止电流仅为500nA,表现出极低的功耗特性,适用于电池供电的便携式设备,在待机模式下降低整体功耗。
DDTC143EUA-7-F因其出色的性能规格,特别适合于机构和消费电子产品的多种应用场景,包括但不限于:
DDTC143EUA-7-F是一款性价比极高的NPN预偏置晶体管,凭借其优异的电气性能和灵活的应用特性,成为现代电子设计中的理想选择,无论是在消费电子、工业设备还是通信设备中,都能够为设计工程师提供可靠的解决方案。通过该器件,工程师可以实现更小尺寸、更高效率的设计,而不牺牲性能与可靠性,是现代电子产品不可或缺的重要元器件。