DDTC113TCA-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DDTC113TCA-7-F

商品编码: BM0185824464
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.555
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.555
--
200+
¥0.185
--
1500+
¥0.115
--
3000+
¥0.0918
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC113TCA-7-F参数

晶体管类型1个NPN-预偏置集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@5mA,5V输入电阻1kΩ
工作温度-55℃~+150℃

DDTC113TCA-7-F手册

DDTC113TCA-7-F概述

产品概述:DDTC113TCA-7-F 数字晶体管

基本信息

DDTC113TCA-7-F 是由知名制造商 Diodes Incorporated 生产的一款高性能数字晶体管,采用 SOT-23 封装,广泛应用于各种低功耗电子设备中。它属于 NPN 类型的预偏置晶体管,专为满足现代电路设计的严格要求而设计,具有优异的电流增益和快速响应特性。

主要特性

  1. 封装与安装类型

    • 封装类型:SOT-23,这种小型表面贴装封装非常适合高密度电路板设计,为开发人员提供了更多的设计灵活性。
    • 安装方式:表面贴装型,便于自动化生产和焊接工艺。
  2. 电气特性

    • 电压和电流规格
      • 集电极电流(Ic):最大可承受100mA,适合于驱动各种中小负载。
      • 集射极击穿电压(Vce):最大 50V,满足大部分低压应用的需求。
    • 增益特性
      • DC 电流增益(hFE):在 1mA 的集电极电流和 5V 的工作电压下,最小值为 100,确保了晶体管在小信号条件下的可靠放大能力。
    • 饱和压降
      • 在 1mA 和 10mA 条件下,Vce 的最大饱和压降为 300mV,体现了其在开关应用中的优越性能。
  3. 频率和功率参数

    • 跃迁频率:达到 250MHz,保证了在高频应用中的稳定性和效率,使其适用于无线通信以及其他频率敏感的电路。
    • 最大功率:200mW,适合于低功耗设备的应用,确保了长时间稳定运行的能力。
  4. 其他参数

    • 集电极截止电流(ICBO):最大值为 500nA,反映出其优秀的漏电流特性,在关闭状态下对电源的耗散相对较小。
    • 基极电阻(R1):推荐使用 1 kOhms 的基极电阻,适合于逻辑电平驱动,确保了操作的稳定性。

应用领域

DDTC113TCA-7-F 广泛应用于各种电子产品中,包括但不限于:

  • 便携式电子设备:如手机、平板电脑中的信号放大及开关电路。
  • 消费类电子产品:如家用电器中的控制及驱动电路。
  • 通信设备:在无线电和其他通信设备中用于信号放大。
  • 工业控制:可用于传感器接口、开关电源等行业应用。

结论

综合考虑 DDTC113TCA-7-F 的领先特性与广泛的应用领域,这款数字晶体管无疑是现代电子设计中的一项出色选择。其小型化的 SOT-23 封装、优异的电气性能,以及优秀的频率响应能力,使得它在低功耗高密度电路设计中尤为重要。无论是在日常消费电子产品中,还是在工业和专业应用中,DDTC113TCA-7-F 都能提供卓越的性能保障。

总之,DDTC113TCA-7-F 是一款理想的 NPN 预偏置晶体管,可以满足各种电子应用的需求,助力设计人员成功打造更高效、更可靠的电路系统。