IRFP4768PBF

IRFP4768PBF 产品概述

产品简介

IRFP4768PBF是一款高性能的N通道MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。采用TO-247AC封装，通常用于电源转换、逆变器和电机驱动等领域。其卓越的电气特性使其在各类电子设备中都能发挥出色的性能。

主要技术参数

• 类型: N通道MOSFET
• 漏源电压 (Vdss): 最高250V，使其适合高电压应用环境。
• 连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下，最大可达93A，确保在高负载情况下依然稳定运行。
• 导通电阻 (Rds(on)): 在10V的栅极驱动电压下，@56A时的最大Rds(on)可低至17.5毫欧，这极大地降低了功耗和发热量。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为5V @ 250µA，保证在低电压下可靠开启。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为270nC @ 10V，保证了MOSFET的快速开关能力，适用于高频率应用。
• 输入电容 (Ciss): 在50V下的最大值为10880pF，提供了良好的输入特性，适应多种驱动条件。
• 功率耗散 (Pd): 最大可达520W，表明该器件具有较高的功率处理能力。
• 工作温度范围: -55°C 到 175°C，适应恶劣环境下的应用场景。
• 封装类型: TO-247AC，具有良好的热管理特性，方便安装和散热。

应用场景

IRFP4768PBF广泛应用于多个领域，主要包括：

1. 电力电子: 应用于DC-DC变换器、AC-DC适配器、逆变器等电源设备，提升能源转换效率。
2. 电机控制: 作为驱动电机的开关元件，确保在高负载条件下能有效运行。
3. 感应加热: 由于其高电流和高效率特性，适合用于射频加热等工艺。
4. 汽车电子: 在汽车电源管理、混合动力车电池管理系统中表现出色。

性能优势

1. 高效率: 由于低Rds(on)，IRFP4768PBF可有效减小开关损耗和导通损耗，提升整体效率，降低热量生成。
2. 稳定性: 强大的电流处理能力和高工作温度范围，使其在极端条件下依然保持良好稳定性，适合严苛的工业和汽车环境。
3. 灵活性: 该器件支持宽广的工作电压和电流，能够适应多种不同的应用需求，且易于与现有电路集成。

结论

总体而言，IRFP4768PBF是一款性能优异的N通道MOSFET，适合用于各种高电压、高电流的电源转换及驱动应用。其出色的导通电阻、功率处理能力和稳定性使其在电力电子行业中广受青睐。如果您正在寻找一款高效、可靠的MOSFET，IRFP4768PBF值得优先考虑。