类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 75V |
连续漏极电流(Id) | 195A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.85mΩ@10V,195A |
功率(Pd) | 520W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 570nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 19.23nF@50V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
产品简介
IRFP4368PBF 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),其在电子元器件领域获得了广泛的应用。该 MOSFET 支持高达 75V 的漏源电压(Vdss),能够承受高达 195A 的连续漏极电流(Id),因此非常适用于高功率和高电压的应用场景。这款器件具有高导通效率和低导通电阻,非常适合用于电源管理、电动机驱动和其他高频应用。
技术规格
IRFP4368PBF 的基本技术参数如下:
优越性能
该 FET 的最大功率耗散能力达到 520W,使它在高负载和高温条件下仍能保持稳定工作。其宽广的工作温度范围使得 IRFP4368PBF 可以用于极端条件下,特别适合工业、航空和高温环境中的应用。低导通电阻(Rds On)和较大的连续漏极电流(Id)能够显著降低功率损耗,提升设备的整体效率,从而在多种应用场景中发挥作用。
应用场景
IRFP4368PBF 的应用领域十分广泛,主要包括:
封装与安装
IRFP4368PBF 使用 TO-247AC 封装,适合通孔安装,便于散热。这种封装设计优化了散热性能,能够承受高功率操作,确保在各种应用中保持良好的性能。
总结
IRFP4368PBF 是一款高效的 N 通道 MOSFET,凭借其超过 75V 的漏源电压能力和 195A 的连续漏极电流,非常适合要求苛刻的工业和汽车应用。其低导通电阻、高功率耗散能力和宽工作温度范围使其成为现代电源管理和电动机控制中的重要组件。无论是在设计电源转换器、驱动电动机,还是在高温环境下运行,IRFP4368PBF 都能提供可靠的性能和高效的解决方案。