STP35N60DM2 产品概述
1. 概述
STP35N60DM2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件在电力电子领域广泛应用,特别适合于高压、高电流的电源管理和开关控制的场合。其优秀的绝缘特性及低导通电阻使其在各种应用中表现出色。
2. 主要参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET(金属氧化物场效应管)
- 漏源电压(Vdss): 600V,适用于高压直流应用。
- 连续漏极电流(Id): 28A(在 25°C 的钉片温度下),意味着在高温环境下仍可持续稳定工作。
- 导通电阻(Rds On): 最大 110 毫欧 @ 14A,10V,表明在大电流工作时能够保持较低的功耗。
- 阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 5V @ 250µA,适用于低电平驱动下的开关控制。
- 输入电容(Ciss): 最大值 2400pF @ 100V,在高频应用中能提供良好的开关特性。
- 栅极电荷(Qg): 最大值为 54nC @ 10V,意味着在驱动上能够实现快速切换,有效降低开关损耗。
- 功率耗散: 最大 210W(Tc),显示出其在处理高功率时的可靠性和耐受性。
- 工作温度范围: 它能够在-55°C 到 150°C 的广泛温度范围内工作,使其在恶劣环境中依然可稳定运行。
- 封装形式: TO-220-3,这种封装设计优良,适用于散热管理。
3. 应用领域
STP35N60DM2 被广泛应用于以下领域:
- 电源管理: 适合于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC),提供高效率的能量转换。
- 电动汽车: 可用于电动汽车的电源电路和控制系统,具备高可靠性和耐用性。
- 工业控制: 用于工业设备中的驱动电路,如伺服电机驱动。
- 消费电子: 在各种消费性电子设备中开展高效电源切换。
- 家用电器: 应用于高能效家电产品,如洗衣机、冰箱等。
4. 性能优势
STP35N60DM2 在性能上的优势非常突出,以下是一些关键点:
- 低导通电阻: 通过降低 Rds On,可以显著减少在开关过程中产生的热量,从而提高整体能效,并延长设备寿命。
- 宽额定电压: 600V 的漏极源电压使其能够适应多种高电压电力应用。同时,其良好的电气隔离特性提供了额外的安全保障。
- 优异的热管理能力: 210W 的功率耗散能力与 TO-220 封装相结合,使得其在高负载条件下同样表现稳定,避免因过热而导致器件故障。
- 广泛的工作温度: 在极端温度下的高效运行,保证了其在多种复杂环境下的适用性。
5. 总结
总体而言,STP35N60DM2 是一款功能强大且性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其高耐压、高电流、高功率和良好的导通特性,适合于各类电源管理和开关应用。无论是在高频驱动、汽车、工业控制还是消费电子等领域,它都能够提供卓越的性能和可靠性,是设计工程师们的理想选择。