双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 | 电压 - 断态 | 600V |
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值) | 12A | 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值) | 1V |
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 120A,126A | 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值) | 35mA |
电流 - 保持 (Ih)(最大值) | 35mA | 配置 | 单路 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 供应商器件封装 | D2PAK |
T1235H-6G-TR是一款高性能的双向可控硅(TRIAC),由意法半导体(STMicroelectronics)制造,适用于各种电力电子应用。其设计特点在于高断态电压(VDRM)能力和较大的通态电流(It),使其在工业和消费电子领域广泛应用。
电压特性:
电流处理能力:
门极触发参数:
工作温度范围:
封装特点:
T1235H-6G-TR广泛应用于多种电力和电子系统中,例如:
T1235H-6G-TR是意法半导体推出的一款性能卓越的TRIAC,其高电压和高电流处理能力,使其成为多种应用场景的理想选择。其简单的触发要求和优异的工作温度范围,使其在当今电子设备中提供了可靠的解决方案。凭借其在耐用性和效率方面的优势,T1235H-6G-TR将继续在市场中扮演关键角色,助力高效电力转换和控制技术的发展。