可控硅类型 | 1个单向可控硅 | 门极触发电压(Vgt) | 1.3V |
保持电流(Ih) | 40mA | 断态峰值电压(Vdrm) | 1kV |
门极触发电流(Igt) | 25mA | 通态峰值电压(Vtm) | 1.6V |
浪涌电流(Itsm@f) | 190A | 门极平均耗散功率(PG(AV)) | 1W |
通态RMS电流(It(rms)) | 16A | 工作温度 | -40℃~+125℃ |
TN1625-1000G-TR 是一款高性能的单向可控硅(SCR),由知名半导体品牌ST(意法半导体)制造,设计用于各种工业和商业应用。该器件采用D2PAK封装,适用于表面贴装,具有出色的热管理能力和电气性能,适合恶劣的环境条件和高负载的电流控制需求。
电压特性:
电流特性:
脉冲特性:
温度范围:
TN1625-1000G-TR 的主要应用包括但不限于:
TN1625-1000G-TR 采用D2PAK封装,具有出色的散热性能,非常适合高功率和高热负载的应用。该封装设计为表面贴装型,便于自动化生产和快速装配,节省了空间并提升了电路板的密度。
TN1625-1000G-TR 是一款高压、高性能的标准恢复型可控硅,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景,成为电力电子领域的理想选择。该器件在设计时充分考虑了工业应用的要求,确保了其在苛刻工作环境下的可靠性与稳定性,是电力控制解决方案的核心组件。通过采用TN1625-1000G-TR,我们能够实现更高效的电力管理和设备保护,推动现代电子技术的进步与应用。