TS862IDT 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

TS862IDT

商品编码: BM0188691415
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
比较器 70dB 15mV 2.7V~10V 300pA SO-8
库存 :
27(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
3.9
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.9
--
100+
¥3.24
--
1250+
¥2.95
--
2500+
¥2.83
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

TS862IDT参数

输入失调电压(Vos)15mV输入偏置电流(Ib)300pA
共模抑制比(CMRR)70dB工作电压2.7V~10V
输出类型推挽工作温度-40℃~+85℃

TS862IDT手册

TS862IDT概述

产品概述:TS862IDT

TS862IDT是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能比较器,具有广泛的应用范围和出色的电气性能。这款比较器被设计用于各种信号处理任务,其高共模抑制比(CMRR)和良好的电源抑制比(PSRR)使其在提供准确的信号判断方面表现优异。以下将详细介绍其关键特性、应用场景以及使用优点。

一、关键特性

  1. 供应电压和工作范围: TS862IDT支持的供电电压范围为2.7V至10V,非常适合电池供电设备和固定电压源下的应用。这种宽的供电范围使得TS862IDT在多种电子设备中具有优越的适应性。

  2. 超低输入偏置电流: TS862IDT的最大输入偏置电流仅为300pA(在5V下),确保了高精度判断,即使在低电平信号情况下也能可靠地工作。这一特性在高阻抗应用中尤为重要,例如传感器信号处理。

  3. 极低的输入补偿电压: 本产品的最大输入补偿电压为15mV(在5V下),提供了良好的线性范围,进一步提高其在精准比较任务中的应用表现。

  4. 高共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR): TS862IDT的CMRR和PSRR分别为70dB,确保了在不同电源和输入条件下,输出的稳定性和可靠性,在噪声环境较为复杂的应用场景中尤为重要。

  5. 快速响应时间: 传播延迟最大为2µs,能够快速响应快速变化的输入信号,适合用于实时信号处理和反馈控制系统。

  6. 工作温度范围: TS862IDT的工作温度范围为-40°C至85°C,确保在各种环境条件下稳定工作,适合工业、汽车及其他需要可靠性的应用场合。

  7. 封装和安装类型: 此款比较器采用8-SOIC封装,具有较小的尺寸,方便集成到各种电路板设计中。此外,表面贴装型设计(SMD)也使得其在自动化生产中更加高效。

二、应用场景

TS862IDT由于其优越的特性,适用于多种电子设计与应用,包括但不限于:

  • 传感器信号调理:可用于将来自不同类型传感器(如温度、压力或运动传感器)的微弱信号放大并进行比较。
  • 电池检测与管理:在电池管理系统中,用于监控电池电压并确保安全操作的状态。
  • 噪声过滤和信号整形:设计中该组件能够帮助识别有效信号并消除噪声,以保持信号的完整性。
  • 过压或欠压保护电路:用于检测电压是否超出设定范围,并触发保护措施。
  • 快速开关控制:可用于对数字信号的快速响应,适合在开关电源等应用中使用。

三、使用优点

TS862IDT不仅在技术参数上具有竞争力,在设计与实施过程中也为工程师提供了多项优点:

  • 小型化设计:其小巧的封装设计使其能够无缝集成到紧凑的电子设备中。
  • 高稳定性与可靠性:广泛的工作温度和较高的电气性能保证了其在各种应用下的稳定性及长期工作可靠性。
  • 易于使用:其简单的引脚配置和低功耗特性,大大简化了设计和调试流程。

综上所述,TS862IDT是一款高性价比的比较器,具备卓越的性能和多样的应用潜力,非常适合电子设计工程师在各种应用场合中的选择。无论是在开发高效能的传感器系统、实施电源管理方案,还是在需要快速信号处理的设备中,TS862IDT都能提供稳定可靠的支持。