类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 75V |
连续漏极电流(Id) | 75A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V,53A |
功率(Pd) | 170W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 71nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.27nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 240pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF2807ZPBF 是一种高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件由英飞凌(Infineon)制造,凭借其出色的电气性能和可靠性,成为现代电子设备中不可或缺的组件之一。
IRF2807ZPBF 的主要电气参数使其非常适用于高功率应用。器件的漏源电压(Vdss)高达 75V,这使其能够应对多种电源电路中的电压需求。其最大连续漏极电流(Id)为 75A(当温度在 25°C 时),在多个工作条件下均可保持良好的性能,为设计工程师提供了极大的灵活性。
在驱动电压方面,IRF2807ZPBF 的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为 4V(在 250µA 电流下),这意味着在较低的栅压下也能顺利开启,简化了驱动电路的设计。器件的导通电阻(Rds On)在 53A 和 10V 条件下的最大值为 9.4 毫欧,确保了器件在导通状态下的低功耗,进一步提升了系统的效率。
此外,IRF2807ZPBF 的栅极电荷(Qg)为 110nC(在 10V 驱动下),这使得在高频或快速开关应用中获得较好的性能,无需过高的驱动能力,从而降低外围驱动电路的复杂性和成本。
IRF2807ZPBF 的最大功率耗散为 170W,这意味着在适当的散热条件下,它能够安全地处理大量的热能,维护系统的稳定性。在工作温度方面,该器件的额定操作温度范围为 -55°C 到 175°C,适用于各种严酷环境下的工作要求,包括汽车电子、工业控制及航天应用等。
该 MOSFET 使用 TO-220AB 封装,这是一种符合耐高温、易于在电路板上焊接的通孔型封装。TO-220 封装所提供的良好散热特性,使得器件能够在高功率应用中实现有效的温度管理。对于工程师而言,选择 IRF2807ZPBF 不仅能够满足高电流需求,同时也能在散热设计上具有很大的灵活性。
凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,IRF2807ZPBF 在多个应用场景中均表现出色。常见应用包括:
综上所述,IRF2807ZPBF 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能、良好的热管理能力以及宽广的应用范围,在现代电子产品开发中提供了极大的设计灵活性。无论是在电源转换、动力驱动还是复杂控制系统中,IRF2807ZPBF 都是一个值得信赖的选择。