门极触发电压(Vgt) | 1.3V | 保持电流(Ih) | 40mA |
断态峰值电压(Vdrm) | 800V | 门极触发电流(Igt) | 35mA |
通态峰值电压(Vtm) | 1.6V | 浪涌电流(Itsm@f) | 63A |
门极平均耗散功率(PG(AV)) | 7W | 通态RMS电流(It(rms)) | 8A |
工作温度 | -40℃~+150℃ |
T835T-8G-TR 是由意法半导体(STMicroelectronics)研发的一款高性能双向可控硅(Thyristor),广泛应用于电力电子领域。该元器件在电压和电流承受能力方面表现出色,适用于各种电气控制系统、调光设备及电机控制等场合。
电压和电流特性
工作温度范围
安装与封装
T835T-8G-TR 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于以下几类:
电力控制系统
调光器和灯光控制
电机控制
温控和加热器控制
高电压和电流能力
快速响应时间
高温运行稳定性
优良散热性能
T835T-8G-TR 是一款高效、可靠的双向可控硅,其超强的电压和电流处理能力,结合快速响应、广泛适应性的工作温度范围,使其在各种电力控制应用中皆是优秀的选择。从电机驱动到照明调光,T835T-8G-TR 在现代电子设备中的角色愈发重要,为工程师们的设计提供了强大支持。选择 T835T-8G-TR,便是选择了卓越的性能与稳定的可靠性。