UM6K33NTN

UM6K33NTN 产品概述

产品简介

UM6K33NTN 是一款高性能的 N-通道 MOSFET (场效应管)，由知名半导体制造商 ROHM（罗姆）出品。这款器件专为逻辑电平驱动设计，能够在低电压条件下实现高效、快速的开关操作。具有较低的导通电阻以及良好的热稳定性，使得 UM6K33NTN 在各种应用场合表现优异，适合于现代电子设备和电源管理系统。

关键参数

1. FET 类型: UM6K33NTN 是一款双 N-通道 MOSFET，使得其在电路设计中具备极大的灵活性，方便进行高效率的开关控制。

2. 漏源电压（Vdss）: 器件的漏极-源极电压额定值为 50V，使其能够在多种应用中承受较高的电压条件，从而提高了系统的可靠性。

3. 连续漏极电流 (Id): 该器件在 25°C 环境下的最大连续漏极电流为 200mA，满足中等功率应用的需求。

4. 导通电阻: 在 200mA 和 4.5V 的驱动电压下，该器件的最大导通电阻仅为 2.2 欧姆，这一特性使得在工作时内部损耗极小，提高了整体系统效率。

5. 阈值电压 (Vgs(th)): 器件在 1mA 测试条件下的最大阈值电压为 1V，显示出其在低电压下打开的优良特性，适合逻辑电平信号驱动。

6. 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 25pF（在 10V 下测试），有助于提高开关速度，适用于高频率应用。

7. 功率耗散: 它的最大功率耗散为 120mW，确保在高负载条件下仍能安全工作。

8. 工作温度: UM6K33NTN 的工作环境温度范围可达 150°C，显示出其在高温环境下的稳定性，适合用于工业设备及汽车应用。

9. 封装类型: 采用 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 等表面贴装型封装，便于自动化生产并节省占板空间。

10. 封装尺寸: UMT6 封装设计，不仅使得其在尺寸上紧凑，还能有效减小电路板的整体面积，提升布局灵活性。

应用领域

UM6K33NTN 适用于广泛的电子设备和系统，包括但不限于：

• 电源管理： 该MOSFET可以用于电源开关，提升电源转换效率，降低发热量。
• 逻辑电平转换电路： 由于其适合低电压驱动，十分适合用于微控制器和数字逻辑电路中的信号转换。
• LED驱动： 可用于LED照明电路中，使得LED能够稳定、有效地工作。
• 电动机控制： 在小型直流电动机的控制电路中，UM6K33NTN 提供可靠的开关功能。
• 储能和逆变器： 在储能设备及逆变器设计中，该MOSFET能够帮助实现高效的开关操作和电源转换。

结论

UM6K33NTN N-通道 MOSFET 结合了高性能、低功耗和广泛的适用性，是现代电子产品中不可或缺的组件之一。凭借其优良的电气特性和稳定的工作温度范围，ROSUM（罗姆）为设计工程师提供了一个可靠、灵活的解决方案。通过有效部署 UM6K33NTN，工程师不仅能优化电子设计的性能，还可增加产品的市场竞争力。