类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 6.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,6.2A |
功率(Pd) | 860mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 680pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 74pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、产品简介
DMN3028LQ-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准,确保其在严苛环境下的可靠性和稳定性。该 MOSFET 提供了优异的电流承载能力和低导通电阻,使其适用于需要高功率和高效率的各种电气和电子系统。
二、主要特性
电气参数
环境适应性
封装类型与形式
三、应用场景
DMN3028LQ-7 适用于多种应用场景,尤其是需要高效率和高功率的电子产品。例如:
四、性能优势
DMN3028LQ-7 的一大优势是其优异的热性能和低导通电阻,这意味着在长时间工作时产生的热量较少,有助于提高整体系统的效率。同时,广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下使用,增强了设备的可靠性。
此外,因其设计符合汽车标准,DMN3028LQ-7 也能够在电压波动及高温等不稳定的环境条件下正常工作,这对于汽车电子产品的安全性和长期稳定性至关重要。
五、总结
总的来说,DMN3028LQ-7 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,适合多种应用,尤其是在汽车电子领域中的应用。凭借其卓越的性能、高工作温度范围、低导通电阻和小巧的封装,其不仅满足现代电子产品的高度集成化和高效率需求,也为设计工程师提供了极大的灵活性与选择空间。无论是在电源管理还是在新一代汽车电子系统中,DMN3028LQ-7 都能够发挥出色的作用,成为设计与制造中的理想选择。