DMN3028LQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN3028LQ-7

商品编码: BM0188691971
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
标准卷带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 860mW 30V 6.2A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
5268(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.46
按整 :
(1有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.46
--
100+
¥1.12
--
750+
¥0.937
--
1500+
¥0.852
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN3028LQ-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@4.5V,6.2A
功率(Pd)860mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)680pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)74pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMN3028LQ-7手册

DMN3028LQ-7概述

DMN3028LQ-7 产品概述

一、产品简介

DMN3028LQ-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准,确保其在严苛环境下的可靠性和稳定性。该 MOSFET 提供了优异的电流承载能力和低导通电阻,使其适用于需要高功率和高效率的各种电气和电子系统。

二、主要特性

  1. 电气参数

    • 漏源电压 (Vdss): 30 V
    • 最大连续漏极电流 (Id): 6.2 A (在 25°C 时)
    • 最大栅源电压 (Vgs): ±20 V
    • 导通电阻 (Rds(on)): 最大 25 毫欧 @ 4 A,10 V
    • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.8 V @ 250 µA
    • 栅极电荷 (Qg): 最大 10.9 nC @ 10 V
    • 输入电容 (Ciss): 最大 680 pF @ 15 V
    • 功率耗散 (Pd): 最大 860 mW
  2. 环境适应性

    • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,确保在高温和低温环境中均能安全、稳定工作。
    • 符合汽车认证: 通过 AEC-Q101 认证,适合汽车级应用,保证产品质量和性能。
  3. 封装类型与形式

    • 安装类型: 表面贴装型(SMD),适合现代电路板布局。
    • 封装尺寸: SOT-23-3,相关封装还包括 TO-236-3 和 SC-59,便于多种设计需求。

三、应用场景

DMN3028LQ-7 适用于多种应用场景,尤其是需要高效率和高功率的电子产品。例如:

  1. 汽车电子: 该 MOSFET 被广泛用于车辆的电源管理、电机驱动、LED 驱动和温控系统中,因其可靠性和优异的电流承载能力。
  2. DC-DC 转换器: 适合用于开关电源和 DC-DC 转换器中,帮助提高能效,降低功耗。
  3. 家电产品: 可在智能家居产品、工业设备和家电中使用,例如电机控制和开关电源部分。
  4. 便携式设备: 由于其小巧的 SOT-23 封装,尤其适合在便携式电子设备中使用,如移动电源、充电器和其他小型电子产品。

四、性能优势

DMN3028LQ-7 的一大优势是其优异的热性能和低导通电阻,这意味着在长时间工作时产生的热量较少,有助于提高整体系统的效率。同时,广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下使用,增强了设备的可靠性。

此外,因其设计符合汽车标准,DMN3028LQ-7 也能够在电压波动及高温等不稳定的环境条件下正常工作,这对于汽车电子产品的安全性和长期稳定性至关重要。

五、总结

总的来说,DMN3028LQ-7 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,适合多种应用,尤其是在汽车电子领域中的应用。凭借其卓越的性能、高工作温度范围、低导通电阻和小巧的封装,其不仅满足现代电子产品的高度集成化和高效率需求,也为设计工程师提供了极大的灵活性与选择空间。无论是在电源管理还是在新一代汽车电子系统中,DMN3028LQ-7 都能够发挥出色的作用,成为设计与制造中的理想选择。