类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@6A,4.5V |
功率(Pd) | 1.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 34nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.8nF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 310pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
RQ1A060ZPTR 是一款由日本著名的电子元器件制造商 ROHM(罗姆)推出的高性能 P 通道 MOSFET(场效应晶体管)。该器件采用的是先进的金属氧化物技术,具有优异的电气特性,特别适合用于低功耗和高效率的开关应用。这款 MOSFET 的工作电压为 12V,最大连续漏极电流为 6A,能够在严苛的环境下稳定运行,非常适合各种电子设备的电源管理、电机驱动及其它功率控制场合。
类型与封装:RQ1A060ZPTR 是一款 P 通道型 MOSFET,采用 TSMT8 表面贴装封装,封装尺寸更小,适合高密度电路板设计。
电气特性:
电容特性:
RQ1A060ZPTR 由于其卓越的电特性,广泛应用于以下几种领域:
RQ1A060ZPTR 是一款出色的 P 通道 MOSFET,结合了高性能、高可靠性及适用性,满足了现代电子产品对功率开关的严格要求。凭借其小巧的 TSMT8 封装和优异的电气性能,该器件将为设计工程师在低功耗、高效率的系统设计中提供强有力的支持。无论是用于电源供应、马达控制还是LED照明,相信 RQ1A060ZPTR 都能满足现代科技行业的高标准需求。