类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@6A,10V |
功率(Pd) | 3.1W;125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.03nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子电路设计中不可或缺的关键元器件,其具有高输入阻抗、快速开关特性以及较低导通损耗等优点。IRF740ASPBF是VISHAY(威世)公司推出的一款高性能N通道MOSFET,广泛应用于电源管理、逆变器、DC-DC转换等领域。
IRF740ASPBF的主要特性包括:
IRF740ASPBF具有出色的功率散热能力:
该元器件选用D2PAK封装,具体封装类型为TO-263-3,具有良好的散热特性,支持表面贴装,为PCB设计带来了便利。D2PAK封装适合大功率应用,能够有效降低热阻,提升器件的可靠性。
得益于其高电压、高电流和优异的开关特性,IRF740ASPBF,被广泛应用于以下领域:
IRF740ASPBF作为VISHAY(威世)的一款优秀N通道MOSFET,凭借其400V的高漏源电压、10A的连续漏极电流、低导通电阻和优良的功率散热能力,成为多种电源管理应用场合的理想选择。无论是在高温环境下工作,还是在日常的电源设计中,它都能提供足够的可靠性与性能,满足现代电子设计的严苛要求。