DMC3401LDW-7
DMC3401LDW-7参数
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 700mΩ@4.5V,0.2A |
| 功率(Pd) | 400mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 800pC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 19pF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMC3401LDW-7手册
DMC3401LDW-7概述
DMC3401LDW-7 产品概述
DMC3401LDW-7 是一款高性能的互补型场效应管（MOSFET），包含一个N沟道和一个P沟道功率场效应晶体管，特别适合于各种低功率和中功率的电子应用。这款器件由知名半导体品牌DIODES（美台）生产，具有良好的开关性能和电气特性，广泛应用于电源管理、信号开关及其他需要高效率的电路设计中。
主要参数与特点
电源电压（Vdss）： DMC3401LDW-7 的漏源电压可以达到30V，这使得它在许多常见的电源应用中非常理想，能够应对绝大多数低至中压电路。
漏极电流（Id）： 在25°C的环境温度下，N沟道的连续漏极电流可达800mA，而P沟道的最大连续漏极电流为550mA。这种高电流承载能力使得DMC3401LDW-7能够支持多种功率需求的应用。
导通电阻（RDS(on）： 在不同的漏极电流和栅电压条件下，DMC3401LDW-7 的导通电阻最大值为400mΩ（在590mA时，Vgs=10V），而在420mA时，其导通电阻为900mΩ（同样为Vgs=10V）。较低的导通电阻的优势在于可以降低功耗，提高开关效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）： 该器件的栅极阈值电压在1.6V到2.6V之间（@ 250µA），这意味着在这一电压范围压力下，MOSFET 将进入导通状态，此特点使得其在逻辑电平范围的应用中表现优异。
栅极电荷（Qg）： DMC3401LDW-7 的栅极电荷（最大值）为1.2nC（在10V时）和800pC，具备较小的电荷量有助于减少驱动器的损耗并提升开关速度，适用于高频开关应用。
输入电容（Ciss）： 器件的输入电容在最大值为50pF（在Vds=15V时）支持高频应用，能够在信号切换时提供快速响应。
工作温度与封装： DMC3401LDW-7 的工作温度范围从-55°C到150°C，使其在极端环境下也能正常工作。其采用了SOT-363封装，具有小型化和表面贴装的特性，适合现代高密度电路板设计。
应用场景
DMC3401LDW-7 适用于多个领域的应用，包括但不限于：
- 电池管理系统
- DC-DC 转换器
- 开关电源及电源管理应用
- LED 驱动
- 通信设备
- 便携式设备中的电源控制
这些应用领域都需要高度可靠的电气性能，适应小型化的设计和高效能的操作。
小结
总之，DMC3401LDW-7 是一款功能强大、性能卓越的互补型MOSFET器件，兼具高效率和小型化特点。其低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关特性，使其适合于多种现代电子设计需求。无论是在便携式电子设备还是在复杂的电源管理系统中，DMC3401LDW-7 都能为设计人员提供强大的支持与便利。