2DD1664Q-13 产品实物图片
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2DD1664Q-13

商品编码: BM0202394082
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
标准卷带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 1W 32V 1A NPN SOT-89
库存 :
2320(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.13
按整 :
(1有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.13
--
100+
¥0.867
--
1250+
¥0.735
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

2DD1664Q-13参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)32V功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@100mA,3V特征频率(fT)280MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)120mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

2DD1664Q-13手册

2DD1664Q-13概述

产品概述:2DD1664Q-13 NPN 三极管

一、产品简介

2DD1664Q-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 晶体管,适用于多种电子应用场景。这款三极管采用 SOT-89 封装,适合表面贴装(SMD),从而实现更高的设计灵活性和空间利用率。其设计用于处理最大功率为 1W,最大集电极电流为 1A,适用于各种低功耗和高频应用。

二、主要参数

  1. 制造商:Diodes Incorporated
  2. 封装类型:SOT-89(三个引脚)
  3. 工作温度范围:-55°C 至 150°C,适合极端环境使用。
  4. 电流 - 集电极(Ic)最大值:1A
  5. 电压 - 集射极击穿(Vceo)最大值:32V
  6. 饱和压降(Vce(sat)):最大值为 400mV @ 50mA 和 500mV @ 500mA,低饱和压降意味着其在高频开关应用中的能量损耗较低。
  7. 集电极截止电流(Icbo):最大值为 100nA,确保在关闭状态时的低漏电流。
  8. DC 电流增益(hFE):最小值为 120 @ 100mA 和 3V,提供良好的电流放大能力。
  9. 频率 - 跃迁:280MHz,适合高频信号处理。

三、应用领域

2DD1664Q-13 被广泛应用于以下领域:

  • 音频放大:其适中的增益和频率响应,使其适合用于音频放大线路。
  • 射频应用:由于其高跃迁频率,适用于需要高频信号开关的场合。
  • 开关电源:可以在高频开关电源设计中使用,尤其是在开关控制和调节电流中。
  • 工业控制电路:该器件的高温工作能力和电流承载能力,使其能够在苛刻的工业环境中稳定工作。
  • 消费电子产品:如电视、音响设备和其他小型家电中,由于其小巧的封装尺寸,能够有效地优化PCB布局。

四、优点与特性

  • 卓越的温度稳定性:工作温度范围从-55°C到150°C,能够满足多种环境下的使用需求。
  • 低饱和压降:有效减少能量损耗,提高整体系统的效率,尤其是在功率开关和功率放大器应用中。
  • 高集电极电流:1A的输出能力,满足高功率要求的电路。
  • 小型化设计:SOT-89封装,使得其在空间受限的应用中成为理想选择,有利于紧凑电路设计。
  • 优良的增益性能:具备良好的 DC 电流增益,使得信号放大更加高效,适应各种信号处理需求。

五、总结

2DD1664Q-13 NPN 三极管是一款性能稳定、应用广泛的电子元件,适合在多种环境下工作,特别是在高频和高功率应用中表现出色。它的低饱和压降、高集电极电流和良好的工作温度范围,使其成为各类电子设备和电路设计中的不可或缺的元件。选择 2DD1664Q-13,将有助于提高产品的性能与可靠性,同时满足当今高效能和小型化的设计需求。