集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 290mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@2mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV@100uA,5V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | 输入电阻 | 47kΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
UMC4NQ-7 是一款基于双极型晶体管(BJT)架构的电子元器件,专为高效能和低功耗应用而设计。此器件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,采用预偏压式配置,能够在多种电子电路中发挥重要作用,特别是在信号处理、开关控制和放大器电路中。
UMC4NQ-7 的主要参数包括最大集电极电流(Ic)为 100mA,能在较高负载下运行,适合广泛的应用场景。该晶体管的集射极击穿电压(Vce)最大可达 50V,使其在高电压环境下仍能保持高效能和稳定性。这种特性使 UM4NQ-7 适合用于较高电压的电源开关和放大器电路。
在频率性能方面,UMC4NQ-7 的跃迁频率达到了 250MHz,这意味着该晶体管能够处理高速信号,非常适合无线通信及射频信号的应用,如 RF 前端模块和 TV 接收器等。这种高频性能结合了其低噪声特性,能够确保信号传输的清晰和稳定。
UMC4NQ-7 的基极电阻(R1)配置为 47kΩ 和 10kΩ,而发射极电阻(R2)同样为 47kΩ 及 47kΩ,这种配置在设计时能够为基极电流提供必要的限制,同时保障晶体管在不同操作状态下的稳定性。正确的电阻选择非常关键,它直接影响到晶体管的工作点、增益以及线性度。
UMC4NQ-7 的最大功率额定值为 290mW,这使其能够应对正常工作条件下的功耗,并适应小型化电子设计的需求。该产品采用表面贴装型结构(SMD),封装形式为 SOT-353,这种紧凑的封装设计使得其在密集的电路板布局中具有很高的灵活性和便利性。
SOT-353 封装不仅具有良好的性能指标,而且其小巧的尺寸使其非常适合于便携式电子产品和空间受限的应用场合。UMC4NQ-7 的表面贴装设计也提升了自动化生产的便利性,有助于提高生产效率和降低生产成本。
UMC4NQ-7 的特点让其适用于多个应用领域,包括但不限于:
UMC4NQ-7 凭借其高效能、宽广的电压和电流规格、高频特性及紧凑封装,成为了当今电子市场上备受关注的双极型晶体管之一。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,UMC4NQ-7 都能提供卓越的性能和可靠的操作,为设计工程师提供了一个理想的选择。