MMBF170Q-7-F

MMBF170Q-7-F 产品概述

一、概述

MMBF170Q-7-F 是由美台（DIODES）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），采用 SOT-23-3 表面贴装封装，适合用于多种电子应用，包括开关电源、低压高频放大器和信号切换等场合。其设计旨在提供可靠、高效的输出表现，使之成为现代电子设备中不可或缺的核心元件之一。

二、关键规格

1. FET 类型：N 通道
2. 技术：MOSFET
3. 漏源电压（Vdss）：可承受高达 60V 的漏源电压，这使得该 MOSFET 在高电压工作条件下具有良好的性能。
4. 最大连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，连续漏极电流可达到 500mA，适合大多数低功耗应用。
5. 驱动电压（Vgs）：为确保最低导通电阻（Rds On）所需的驱动电压为 4.5V 至 10V，提供了灵活的选择，以满足不同应用的需求。
6. 导通电阻：在 10V 驱动下，最大 Rds On 可低至 5Ω @ 200mA，有效降低了功率损耗与发热量。
7. 阈值电压（Vgs(th)）：其最大阈值电压为 3V @ 250µA，意味着当门极电压达到此水平时，器件将开始导通。
8. 输入电容（Ciss）：在 10V 时输入电容最大值为 40pF，此参数对于高速开关应用尤为重要，影响开关速度和功耗。
9. 功率耗散（Pd）：最大功耗可达 300mW，使得在高负载条件下仍能稳定工作。
10. 工作温度范围：工作温度范围极宽，从 -55°C 到 150°C，适合于各种恶劣环境和严酷条件下使用。
11. 封装类型：采用 SOT-23-3 封装，表面贴装型设计为 PCB 布板提供了更高的密度。

三、应用场景

MMBF170Q-7-F 适用于广泛的应用场景，如：

• 开关电源：由于其高效的导通表现和较低的功耗，适合用于开关电源中实现高频率的切换。
• 信号放大：可作为高频放大的基础构件，提升信号强度，确保低噪声和高线性度。
• 信号开关：在音频和视频信号处理电路中，作为开关控制元件，保证信号切换的可靠性和精度。
• 数码电路：可在微控制器、传感器和其他数字组件中提供有效的开关解决方案，提高整机性能。

四、市场优势

MMBF170Q-7-F 具备高度的可用性和灵活性，能够满足市场对各种电子设备的需求。此外，其高性能造成了在功率与热量管理方面的显著优势，适合于移动设备、工业控制、消费电子等多个行业应用。

通过采用 SOT-23-3 封装，该 MOSFET 还能有效节省电路板的空间，提高设计的紧凑性，为高现代化产品设计提供支持。

结论

总而言之，MMBF170Q-7-F 是一款功能强大、性能优秀的 N 通道 MOSFET，非常适合用于现代电子应用，提供了可靠性和高效性，其出色的电气特性及广泛的应用范围，将帮助工程师和设计师在开发新产品时克服各种挑战。无论是在低功耗设备还是高效能电源中，MMBF170Q-7-F 将始终是一个值得考虑的优秀选择。