DDTB113ZC-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DDTB113ZC-7-F

商品编码: BM0202395450
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置 SOT-23-3
库存 :
239(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.272
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.272
--
200+
¥0.175
--
1500+
¥0.153
--
3000+
¥0.134
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB113ZC-7-F参数

集射极击穿电压(Vceo)40V集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)56@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2V@20mA,0.3V最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)300mV@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@50mA,2.5mA工作温度-55℃~+150℃

DDTB113ZC-7-F手册

DDTB113ZC-7-F概述

DDTB113ZC-7-F 产品概述

一、产品背景

DDTB113ZC-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司制造的高性能 PNP 数字晶体管,旨在满足现代电子设备对于高可靠性和高效能的需求。这款晶体管特别适用于低功耗开关电路以及放大电路,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域。

二、基本特性

晶体管类型与结构:
DDTB113ZC-7-F 采用 PNP 结构,适合于需要常开状态的应用,特别是在0V至负电压的电源设计中,使其成为多种电路设计的优选方案。

电流与电压特性:

  • 最大集电极电流(Ic):500mA,足以支持大多数低功耗应用。
  • 最大集射极击穿电压(Vce):50V,确保其在高电压环境下的稳定运行,满足多种电源设计的需求。

电流增益性能(hFE):
本产品在 Ic 及 Vce 不同条件下,最小 DC 电流增益为 56,特别是在 50mA 和 5V 时,这个参数对于设计人员来说是一个重要的性能指标,指导其如何在不同的工作条件下有效放大信号。

饱和压降与截止电流:

  • Vce 饱和压降最大值为 300mV,在 2.5mA 和 50mA 时测量,此特性表明该晶体管在工作时能保持较低的能量损耗,减少热量产生,延长器件及电路的使用寿命。
  • 集电极截止电流(I_C切)最大值为 500nA,表明在关闭时泄漏电流非常小,提高了电源的可靠性。

三、频率与功率性能

频率特性:
DDTB113ZC-7-F 的跃迁频率为 200MHz,适于高频应用,尤其是在数字电路和数据传输系统中,能够满足快速开关的要求。

功率处理:
该器件的最大功率处理能力为 200mW,适合于各种低功耗和中等功率应用,能够在高效工作的同时进行有效的热管理。

四、安装与封装

安装类型与封装:
DDTB113ZC-7-F 采用表面贴装型封装,具体为 SOT-23-3 封装。这种小型封装设计不仅节省了空间,同时还提高了散热效率,降低了PCB布线的复杂性,适合于目前流行的紧凑型电路设计。

封装优势:
SOT-23 封装提供更好的焊接可靠性和更低的回流温度适应性,为自动化生产提供便利。小巧的尺寸使得DDBT113ZC-7-F可以灵活部署于空间受限的产品中,如便携式设备和小型家用电器。

五、应用领域

DDTB113ZC-7-F 的设计使其能够广泛应用于以下方面:

  • 消费电子: 如智能手机、平板电脑等,支持信号放大和开关控制;
  • 工业控制: 用于传感器接口及执行器驱动;
  • 通信设备: 可以应用于数据线放大器、滤波器等;
  • 汽车电子: 遥控及监测系统中对复杂信号的处理。

六、总结

总的来说,DDTB113ZC-7-F 作为一款高效、低功耗的 PNP 数字晶体管,凭借其出色的电流增益、低饱和压降及广泛的工作电压范围,成为工程师和设计师在选择元件时的重要选择,加之其优雅的 SOT-23 封装,为当今信息技术和电子产品的快速发展提供了强有力的支持。无论是在消费电子还是工业应用中,其都展现出了卓越的性能,必将为众多产品的开发与创新提供助力。