集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 集电极电流(Ic) | 500mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 56@50mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 2V@20mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 300mV@100uA,5V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@50mA,2.5mA | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTB113ZC-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司制造的高性能 PNP 数字晶体管,旨在满足现代电子设备对于高可靠性和高效能的需求。这款晶体管特别适用于低功耗开关电路以及放大电路,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域。
晶体管类型与结构:
DDTB113ZC-7-F 采用 PNP 结构,适合于需要常开状态的应用,特别是在0V至负电压的电源设计中,使其成为多种电路设计的优选方案。
电流与电压特性:
电流增益性能(hFE):
本产品在 Ic 及 Vce 不同条件下,最小 DC 电流增益为 56,特别是在 50mA 和 5V 时,这个参数对于设计人员来说是一个重要的性能指标,指导其如何在不同的工作条件下有效放大信号。
饱和压降与截止电流:
频率特性:
DDTB113ZC-7-F 的跃迁频率为 200MHz,适于高频应用,尤其是在数字电路和数据传输系统中,能够满足快速开关的要求。
功率处理:
该器件的最大功率处理能力为 200mW,适合于各种低功耗和中等功率应用,能够在高效工作的同时进行有效的热管理。
安装类型与封装:
DDTB113ZC-7-F 采用表面贴装型封装,具体为 SOT-23-3 封装。这种小型封装设计不仅节省了空间,同时还提高了散热效率,降低了PCB布线的复杂性,适合于目前流行的紧凑型电路设计。
封装优势:
SOT-23 封装提供更好的焊接可靠性和更低的回流温度适应性,为自动化生产提供便利。小巧的尺寸使得DDBT113ZC-7-F可以灵活部署于空间受限的产品中,如便携式设备和小型家用电器。
DDTB113ZC-7-F 的设计使其能够广泛应用于以下方面:
总的来说,DDTB113ZC-7-F 作为一款高效、低功耗的 PNP 数字晶体管,凭借其出色的电流增益、低饱和压降及广泛的工作电压范围,成为工程师和设计师在选择元件时的重要选择,加之其优雅的 SOT-23 封装,为当今信息技术和电子产品的快速发展提供了强有力的支持。无论是在消费电子还是工业应用中,其都展现出了卓越的性能,必将为众多产品的开发与创新提供助力。