类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@4.5V,2.9A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 881pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 67pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMC2041UFDB-7是一款高性能的双MOSFET器件,由美台半导体(DIODES)制造,采用U-DFN2020-6封装。该产品集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET,能够在紧凑的尺寸中提供出色的电性能,特别适用于需要高效能和高密度布线的电子应用。
高导电性与低导通电阻: DMC2041UFDB-7的导通电阻在不同的Id和Vgs条件下的最大值为40毫欧(@ 4.2A,4.5V),这意味着在正常工作条件下,该组件可实现低功耗和高效能。该特性尤其适合需要较低热量损耗的应用,如开关电源和电机驱动。
稳定的工作电流范围: 该器件可提供4.7A的连续漏极电流(N沟道)和3.2A(P沟道),这使得它能够处理广泛的应用场景,包括电源管理、信号传输和负载开关。
输入电容和栅极电荷特性: DMC2041UFDB-7在10V时的输入电容(Ciss)最大值为713pF,这有助于提高控制电路的响应速度。栅极电荷(Qg)最大值为15nC(@ 8V),进一步降低了驱动电源的要求,提升了系统的整体效率。
宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,使其适用于各种环境条件,极大地增加了其在高温或低温条件下的应用灵活性。
漏源电压: DMC2041UFDB-7的漏源电压(Vdss)为20V,足以满足各种低中压应用的需求,同时保障器件在最大电压下的稳定性。
栅极阈值电压: 在250μA的电流条件下,N沟道的栅极阈值电压(Vgs(th))的最大值为1.4V,确保了在较低的输入电压下也能够驱动器件导通,从而提高了系统的兼容性。
由于其优越的性能和多样的特性,DMC2041UFDB-7可以广泛应用于以下几个领域:
DMC2041UFDB-7采用U-DFN2020-6表面贴装型封装,其紧凑的尺寸有助于提高PCB设计的集成度和空间利用率。这种封装方式在现代电子产品中越来越常见,符合高密度焊接和自动化生产的需求。
DMC2041UFDB-7作为一款双MOSFET器件,凭借其实用的电气特性和先进的制造工艺,成为各种电子应用中的理想选择。无论是电源管理、负载开关还是电机驱动,它都能为设计工程师提供高效的解决方案,是高效能应用的优秀托管方案。使用该元器件,可以显著提升产品的整体性能和可靠性,为客户创造更大的价值。