类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 210mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@5V,0.05A |
功率(Pd) | 370mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 223pC | 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
2N7002VAC-7是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为各种电子电路设计而优化。该器件具有超过60V的漏源电压(Vdss)和最大280mA的连续漏极电流(Id),使其在功率开关和信号调节等应用中表现优异。其低导通电阻和宽工作温度范围使其成为理想的选择,适用于工业、消费电子和汽车等各类应用。
FET 类型及功能:
电气特性:
输入电容(Ciss):
功率与温度:
2N7002VAC-7采用SOT-563封装,表面贴装型设计使其在现代电路设计中适应小型化和高密度布局的需求。该封装尺寸小且便于自动化生产流程,有助于提高生产效率和降低组装成本。
2N7002VAC-7广泛应用于各种电子设备中,涵盖的领域包括:
综上所述,2N7002VAC-7是一款功能齐全、高效能的N沟道MOSFET,适用于广泛的电子应用。其兼具高电压、高电流和低导通电阻的特性,使其在现代电子设计中成为一种理想的选择。无论是在消费电子、汽车、工业控制还是通信领域,2N7002VAC-7都能提供卓越的性能与可靠性。