晶体管类型 | 1个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.4V@2mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V@100uA,5V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTC144EUAQ-7-F 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用了NPN类型的预偏压设计。此款晶体管专为低功耗及高频应用而设计,非常适合于信号开关、放大电路以及其他需要快速响应的数字电路。这款产品以其优良的电流增益、低饱和压降和优异的频率特性在包括消费电子、通信设备和工业控制等广泛应用领域中展现出强大的优势。
最大集电极电流 (Ic): 100mA
该晶体管的最大集电极电流为100mA,使得它能够在各种应用中承受相对较大的负载。
集射极击穿电压 (Vce(BR): 50V
它的击穿电压为50V,能够应对包括大多数消费电子在内的常见环境。
DC电流增益 (hFE): 最小值80 @ 5mA,5V
当流过5mA的基极电流时,集电极电流的放大倍数为80,显示出良好的电流放大特性,适用于多个信号处理任务。
饱和压降 (Vce(sat)): 最大值300mV @ 500µA,10mA
在相对低的基极电流下,维持较低的集射极饱和压降,有助于提高功率效率,减少功耗。
集电极截止电流: 最大值500nA
该晶体管在关闭状态时的漏电流相对较低,体现了出色的电流截断能力。
最大功率耗散: 200mW
这款晶体管的功率处理能力在200mW,适合于多种小型设备和电路,确保其在操作过程中有良好的散热表现。
封装类型: SOT-323(SC-70)
采用SOT-323表面贴装型封装,使得该晶体管可方便地集成在现代电子设备中,特别是体积受限的场合。
DDTC144EUAQ-7-F 的设计特别适合以下应用:
消费电子产品: 可以用作开关或信号调理元件,广泛应用于电视、音响、智能家居等设备。
通信设备: 由于其良好的频率性能和低饱和压降,适用于无线通信、互联网设备中的信号放大和开关应用。
工业控制: 可用于传感器末端的开关、信号处理模块,在自动控制系统和监控设备中担任关键角色。
电源管理: 其可以用于DC-DC转换器中的开关元件,提升电源效率和稳定性。
作为一款具有高性能和多功能特性的数字NPN晶体管,DDTC144EUAQ-7-F 不仅集成了低功耗、低饱和压降和高频响应,还能在各种严苛工作条件下稳定运行。其优异的电流增益和集电极电流处理能力使其在众多应用中具备优势,适合被应用于现代数字电路设计中。无论是在消费类电子、通信行业或是工业自动化领域,DDTC144EUAQ-7-F 都是一个值得信赖的选择,能够满足客户对高效、可靠电子元器件的需求。