RGT50NS65DGTL 产品实物图片
RGT50NS65DGTL 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

RGT50NS65DGTL

商品编码: BM0206749670
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
LPDS
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
IGBT管/模块 650V 194W FS(场截止) 48A TO-263-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.19
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.19
--
100+
¥4.95
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

RGT50NS65DGTL参数

IGBT类型FS(场截止)集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)48A功率(Pd)194W
反向恢复时间(Trr)58ns工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

RGT50NS65DGTL手册

RGT50NS65DGTL概述

RGT50NS65DGTL 产品概述

RGT50NS65DGTL 是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),由知名电子元器件制造商 ROHM(罗姆)生产。该器件不仅具备优异的电气性能,还有广泛的应用前景,其设计和性能非常适合高电压和高电流的电力电子应用。

主要技术参数

  • 电流 & 集电极脉冲(Icm): 该IGBT 能够承受达到 75A 的脉冲电流,保证了其在瞬态情况下的可靠性,适应了动态负载条件。
  • 工作温度范围: RGT50NS65DGTL 可以在 -40°C 至 175°C 的宽温度范围内稳定工作,适合于苛刻的环境条件和高温应用。
  • 栅极电荷 (Qg): 49nC 的栅极电荷特性,有助于降低开关损耗,提高开关速度,适合高频率开关应用。
  • 开关特性: RGT50NS65DGTL 在 25°C 时,开关延迟时间(Td)为 27ns,关延迟时间为 88ns,显示出其优秀的开关表现,适合于高效的频率控制。

电气特性

  • 集射极击穿电压(Vce): 该器件的最大集射极击穿电压为 650V,能够应对高电压应用。
  • 集电极电流(Ic): 最大持续集电极电流为 48A,为各种负载条件提供了出色的输出能力。
  • Vce(on)(最大值): 在 15V 和 25A 的条件下,Vce(on) 的最大值仅为 2.1V,这一低值确保了在导通状态下损耗最低,提高了整体能效。
  • 反向恢复时间 (trr): 其反向恢复时间为 58ns,确保了在电路切换时的快速响应,这对高频应用尤其重要。
  • 功率耗散能力: 一个最大功率额定值为 194W,可为高功率密度设计提供支持。

封装信息

RGT50NS65DGTL 使用 TO-263-2 表面贴装封装,这种封装不仅体积小、轻巧,还适合传统的表面贴装技术,为制造过程提供了便利性。同时,LPDS(Low Profile Dual Side)设计优化了热管理,可以有效散热,减少器件在高功率下的热积累。

应用场景

RGT50NS65DGTL 的卓越性能使其成为多个领域的理想选择,广泛应用于:

  1. 逆变器: 特别是太阳能逆变器和风能逆变器,利用其高电压和高电流特性,提高能量转换效率。
  2. 电动汽车: 在电池管理和电动驱动系统中,RGT50NS65DGTL 提供支持高效的功率转换,延长电动车的续航能力。
  3. 工业自动化: 用于变频器和伺服电机驱动,提升设备控制的精度和响应速度。
  4. 家电: 适用于高效能变频空调和压缩机的驱动电路中,增强产品的能效比。

结论

RGT50NS65DGTL 以其出色的电气性能和广泛的应用范围被认为是现代电力电子设计中的一款重要器件。通过结合高电压、高电流和优越的开关特性,该IGBT不仅能满足大多数工业及消费类电子设备的需求,同时也为技术创新提供了更广阔的空间。未来,在电力电子行业日益增长的需求面前,RGT50NS65DGTL 将继续发挥其优势,助力各类应用的高效运行。