MMBT489LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT489LT1G

商品编码: BM0209128315
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 710mW 30V 1A NPN SOT-23
库存 :
1195(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.623
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.623
--
3000+
¥0.58
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT489LT1G参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)30V功率(Pd)310mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)300@50mA,5.0V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@1.0A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBT489LT1G手册

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MMBT489LT1G概述

产品概述:MMBT489LT1G

1. 概述

MMBT489LT1G是由ON Semiconductor(安森美)生产的一款NPN三极管,采用表面贴装型设计,符合现代电子设备对于体积和性能的高要求。该元器件适用于广泛的电子应用场景,尤其是在电源管理、信号放大以及开关电路中表现卓越。其优异的电气特性和工作温度范围使其成为多种设计的理想选择。

2. 物理特性

  • 封装形式:MMBT489LT1G采用SOT-23-3(TO-236),SC-59封装,具有小巧的体型,适合高密度的PCB布局。
  • 包装方式:以卷带(TR)形式供应,便于自动化贴装,提升生产效率。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,适应各种极端环境的应用需求。

3. 电气特性

  • 电流—集电极(Ic):最大允许电流为1A,这使得MMBT489LT1G在高负载条件下仍能够稳定工作。
  • 电压—集射极击穿(VCEBO):最大击穿电压为30V,在开关应用中提供可靠的保护和性能。
  • 功率:最大功率能力可达710mW,确保在较高功率条件下依然能够稳定运行。
  • 集电极截止电流(Icbo):最大截止电流为100nA,这意味着在静态条件下,漏电流非常小。
  • 饱和压降(VCE(sat)):在最大电流100mA和1A时,饱和压降分别为200mV,提供低损耗的开关性能。
  • 电流增益(hFE):在500mA电流和5V电压下,最低直流电流增益为300,确保在放大应用中能够提供良好的线性性能。

4. 高频特性

  • 频率—跃迁:作跃迁时,器件具有高达100MHz的频率响应,适合在高速开关和通信信号处理中使用。这一特性使得MMBT489LT1G能够满足现代通信设备对信号传输速率的高要求。

5. 应用领域

MMBT489LT1G的广泛应用使其成为多个行业的标准选择,包括:

  • 消费电子:智能手机、平板电脑和其他移动设备中的信号放大和开关电路。
  • 通信:在网络设备或射频应用中,利于快速开关和信号处理。
  • 汽车电子:在传感和控制系统中的高温运行环境下表现稳定。
  • 工业设备:适用于电机驱动、传感器和控制器中的开关应用。

6. 总结

MMBT489LT1G是一款高效、可靠的NPN三极管,凭借其强大的电气性能及高耐温特性,适合多种严苛的应用环境。无论是在消费电子、通信、汽车电子还是工业领域,该器件均能提供优质的信号放大与开关控制。其小巧的封装及自动化生产的便利性,无疑使其成为现代电子设计中的重要组成部分。选择MMBT489LT1G,将为各种电路设计提供强大的支持,有助于提升系统的整体性能与可靠性。