晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 300@50mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@1.0A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT489LT1G是由ON Semiconductor(安森美)生产的一款NPN三极管,采用表面贴装型设计,符合现代电子设备对于体积和性能的高要求。该元器件适用于广泛的电子应用场景,尤其是在电源管理、信号放大以及开关电路中表现卓越。其优异的电气特性和工作温度范围使其成为多种设计的理想选择。
MMBT489LT1G的广泛应用使其成为多个行业的标准选择,包括:
MMBT489LT1G是一款高效、可靠的NPN三极管,凭借其强大的电气性能及高耐温特性,适合多种严苛的应用环境。无论是在消费电子、通信、汽车电子还是工业领域,该器件均能提供优质的信号放大与开关控制。其小巧的封装及自动化生产的便利性,无疑使其成为现代电子设计中的重要组成部分。选择MMBT489LT1G,将为各种电路设计提供强大的支持,有助于提升系统的整体性能与可靠性。