晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 10@3A,4V | 特征频率(fT) | 3MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 300uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.2V@3A,375mA |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
TIP31CG 是由安森美 (ON Semiconductor) 生产的一款高性能 NPN 晶体管,主要应用于功率电子电路中。其设计充分考虑了高电流承载能力和电压抗击穿特性,使其成为各种电源管理、电机驱动和信号放大等应用的理想选择。该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适用于需要较大功率的电子设备。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流 (Ic):3A
最大集射极击穿电压 (Vceo):100V
饱和压降 (Vce(sat)):最大值 1.2V @ 375mA,3A
截止电流 (Ic(max)):300µA
电流增益 (hFE):10 @ 3A,4V
功率负载能力:最大 2W
频率 - 跃迁:3MHz
工作温度范围:-65°C ~ 150°C
封装:TO-220-3
TIP31CG 被广泛应用于多种领域,以下是一些典型的应用场景:
TIP31CG 是一款强大的 NPN 晶体管,具备出色的性能与多样的应用场景。其高集电极电流水平、良好的电压抗击穿能力以及低饱和压降使其非常适合在功率电子设备中使用。随着电子设备对功率和效率的要求不断提升,TIP31CG 凭借其卓越的性能和可靠性,必将在未来的电子设计中继续发挥重要作用。选择 TIP31CG,您将获得一种经久耐用、性能优异的电子元器件,助力您的项目成功。