类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 50mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@10V,25mA |
功率(Pd) | 360mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 60pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
1. 概述
TP0610T-G 是一款由 Microchip Technology 生产的 P 通道 MOSFET(场效应管),专为高效能低功耗电路设计。它的主要功能是用于开关和线性调节应用,适用于各种电子设备的电流控制和负载开关。TP0610T-G 的设计目标是为用户提供可靠的工作性能,广泛应用于电源管理、马达驱动、信号调理和电池管理等领域。
2. 主要参数
3. 特性与应用
TP0610T-G 的 P 通道设计使其在多种应用中具备优势,尤其是在需要对负载进行高效控制的电路中。以下是在该元件的应用场景中的几个主要特性:
低导通电阻: 该器件在导通状态下具有低导通电阻(Rds On),这一特性使得它在通电时可以更有效地传输电流,减少能量损失,进而提高系统效率。
广泛的工作温度范围: 随着温度的变化,该 MOSFET 仍能够在-55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作,这使得它能够适应各种环境条件,包括极端高温或低温场所的电子应用。
紧凑的封装设计: TO-236AB(SOT-23)封装允许该元件在空间受限的应用中使用,例如便携式设备和小型家用电器。在设计 PCB 时,TP0610T-G 可以轻松集成,而不会占用过多空间。
4. 电气特性
TP0610T-G 的电气特性使其适用于许多不同的电路环境。例如,其最大漏极电流为 120mA,很适合用于处理小电流信号的电源管理应用。此外,其 60V 的漏源电压能够满足大多数低功率电源转换器和低损耗电源的需要。
5. 安装与兼容性
TP0610T-G 的表面贴装类型使得它适合于自动化生产线的高速贴片过程,减少生产成本并提高效率。此外,SOT-23 封装的广泛应用使得 TP0610T-G 与众多主流电路设计兼容,便于开发与集成。
6. 应用领域
7. 总结
TP0610T-G 是一款高度可靠、性能优异的 P 通道 MOSFET,适用于多种电子应用。其综合特性如低导通电阻、广泛的工作温度和紧凑的封装,使其在电源管理、马达驱动和信号控制等领域中具备重要的地位。Microchip Technology 的这款产品在当前及未来的电子设备中将会发挥越来越重要的作用。