类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@4.5V,4A |
功率(Pd) | 3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.253nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 158pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
G12P03D3 是一款高性能的 P 型场效应管(MOSFET),其设计能够在多种应用中提供稳定而可靠的电流控制。其主要规格为 3W 的功率处理能力、30V 的额定电压和 12A 的最大电流,广泛适用于电源管理、开关电路、驱动电机以及其他需要高效电流控制的电子电路中。作为来自 GOFORD(谷峰)品牌的产品,G12P03D3 以其出色的性能和可靠性赢得了众多工程师的青睐。
G12P03D3 的设计使其在多个领域中都能发挥重要作用,主要应用包括但不限于:
G12P03D3 作为 GOFORD 旗下的一款高性能 P 型 MOSFET,不仅具备高功率处理能力和灵活的应用范围,同时也在效率和可靠性方面表现卓越。其紧凑的封装设计和出色的电气特性,使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元件。无论是在电源管理、电机驱动还是其他应用中,G12P03D3 皆能为用户提供极具竞争力的解决方案,推动各种电子产品向着高效、节能的方向发展。