晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 500mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 110@2mA,5V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,5mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BC550CBU是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的NPN型双极性晶体管(BJT),它在低功耗信号处理和开关应用中表现出色。凭借其高增益、快速跃迁频率和良好的温度稳定性,BC550CBU 适用于各种电子产品和电路,为设计工程师提供了一种可靠的选择。
BC550CBU的主要电气特性如下:
BC550CBU采用TO-92-3封装,适合通孔安装。这种经典的胶囊式封装不仅易于集成于各种电路板中,同时也能有效散热,确保元件在高负载下维持良好性能。
BC550CBU广泛应用于各类电子设备的信号放大和开关电路。其高增益特性使其适合用于小信号放大器、射频放大器以及音频放大器等。此外,BC550CBU还可用于开关电源、LED驱动电路及其他低功率控制应用。由于其高工作温度和低电流消耗的特性,该晶体管在便携式设备和工业控制系统中同样具有应用潜力。
总之,BC550CBU NPN晶体管凭借其卓越的性能和灵活的应用,成为了设计师在信号放大和开关控制设计中的重要选择。它的高电流增益、低饱和损耗以及广泛的工作温度范围,确保在各种应用环境下的可靠性与稳定性。无论是在消费电子、工业控制、还是通信设备,BC550CBU的表现都不会辜负设计师的期望。