晶体管类型 | 2个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5V |
EMB10T2R 是一款由知名品牌 ROHM (罗姆) 生产的双PNP预偏置数字晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该元器件具有优异的性能特点和灵活的应用场景,为设计工程师提供了可靠的解决方案。
EMB10T2R 构造为两个 PNP 晶体管的组合,采用 SOT-563 或 SOT-666 表面贴装型封装形式,适用于空间有限的 PCB 板设计。该元器件特别设计用于低功耗的应用,最大功率为 150mW,能够承受高达 100mA 的集电极电流 (Ic),因此能够满足大多数小型电子项目的需求。
EMB10T2R 具备高频跃迁特性,频率可达 250MHz,使其在高速开关、调制解调和高频放大应用中都能表现出色。此特性使得它适合于无线通信、射频应用以及数字信号处理等领域。
EMB10T2R 被广泛运用在多个领域,包括但不限于:
ROHM 对 EMB10T2R 所采用的材料和生产工艺进行了严格把控,确保了产品的一致性与可靠性。在实际应用中,这种数字晶体管表现出了极低的噪声及稳定的性能,对提高整体系统的可靠性和寿命起到了积极作用。
在设计电路时,应确保对 EMB10T2R 的热管理,避免在高温条件下工作。合理配置基极和发射极的电阻器如 2.2kΩ 和 47kΩ 可有效调节开关特性和增益,从而根据不同应用进行优化。此外,应根据 IC 的最大电流和电压要求合理选择晶体管的驱动电路,确保在额定值范围内工作。
EMB10T2R 作为一款数字晶体管,兼具高效能和灵活性,适合多种应用场景使用。凭借其优越的性能及可靠的品质,EMB10T2R 是电子设计工程师在选择晶体管时值得考虑的优质元件。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,EMB10T2R 都能为产品提供卓越的支持。