IPD70R360P7SAUMA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IPD70R360P7SAUMA1

商品编码: BM0000676915
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 59.4W 700V 12.5A 1个N沟道 TO-252-3
库存 :
1237(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.87
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.87
--
100+
¥2.2
--
1250+
¥1.92
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

IPD70R360P7SAUMA1参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)7.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@10V,3.0A
功率(Pd)59.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@0.15mA
栅极电荷(Qg@Vgs)16.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)517pF@400V
反向传输电容(Crss@Vds)11pF@400V工作温度-40℃~+150℃

IPD70R360P7SAUMA1手册

IPD70R360P7SAUMA1概述

IPD70R360P7SAUMA1 产品概述

产品名称: IPD70R360P7SAUMA1
类型: N通道MOSFET
制造商: Infineon Technologies(英飞凌)
封装: TO-252-3 (DPAK)


一、产品简介

IPD70R360P7SAUMA1是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高压应用设计。它具有700V的漏源电压和12.5A的连续漏极电流,能够在广泛的工业和消费电子应用中提供卓越的性能和可靠性。该MOSFET在恶劣的环境条件下也能稳定工作,适用于各种电力电子和电源转换电路。

二、关键特性

  1. 高电压和电流能力:

    • 漏源电压(Vdss)高达700V,适合高电压电源转换应用。
    • 连续漏极电流(Id)达到12.5A(在接合温度Tc下),能满足大功率负载要求。
  2. 低导通电阻:

    • 在10V的栅极驱动电压下,导通电阻(Rds(on))在3A时为最大360毫欧。这使得该器件在导通状态下功耗较低,有助于提高能效。
  3. 优异的温度特性:

    • 工作温度范围广,-40°C到150°C,适应极端环境条件。
    • 最大功率耗散为59.4W(Tc),足以应对高负载条件。
  4. 高输入 capacitance:

    • 输入电容(Ciss)在400V时达到517pF,提供良好的开关特性,利于快速开关操作。
  5. 便捷的驱动特性:

    • 最大栅极驱动电压为±16V,能够与多种驱动电路兼容。
    • 栅极电荷(Qg)为最大16.4nC(在10V下),使得该MOSFET能够实现快速的开关频率。
  6. 封装与安装类型:

    • 产品采用TO-252-3(DPAK)封装,便于表面贴装,适合自动化生产线。

三、应用场景

IPD70R360P7SAUMA1适用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS): 由于其高效率和快速切换能力,该MOSFET尤为适合在开关电源中做为主开关元件。
  • 逆变器: 在光伏和风能逆变器中,它能提供高效的能量转换。
  • 电机驱动: 该器件可用于电动机驱动中,尤其是在高压和高功率的工业型驱动系统中。
  • 高压电源管理: 适合于电源管理IC中,能有效提高系统的效能和稳定性。

四、总结

IPD70R360P7SAUMA1是一款卓越的N通道MOSFET,凭借其高电压、高电流能力及低导通电阻特性,成为各类高效能电源解决方案的理想选择。在广泛的工业和消费电子领域,该MOSFET的应用潜力巨大,能够满足苛刻的电源管理需求。选择Infineon的IPD70R360P7SAUMA1,将为客户的设计带来极大的性能提升与成本效益。