类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 700V |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 360mΩ@10V,3.0A |
功率(Pd) | 59.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@0.15mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 517pF@400V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@400V | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
产品名称: IPD70R360P7SAUMA1
类型: N通道MOSFET
制造商: Infineon Technologies(英飞凌)
封装: TO-252-3 (DPAK)
IPD70R360P7SAUMA1是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高压应用设计。它具有700V的漏源电压和12.5A的连续漏极电流,能够在广泛的工业和消费电子应用中提供卓越的性能和可靠性。该MOSFET在恶劣的环境条件下也能稳定工作,适用于各种电力电子和电源转换电路。
高电压和电流能力:
低导通电阻:
优异的温度特性:
高输入 capacitance:
便捷的驱动特性:
封装与安装类型:
IPD70R360P7SAUMA1适用于多个领域,包括但不限于:
IPD70R360P7SAUMA1是一款卓越的N通道MOSFET,凭借其高电压、高电流能力及低导通电阻特性,成为各类高效能电源解决方案的理想选择。在广泛的工业和消费电子领域,该MOSFET的应用潜力巨大,能够满足苛刻的电源管理需求。选择Infineon的IPD70R360P7SAUMA1,将为客户的设计带来极大的性能提升与成本效益。