4N32M 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

4N32M

商品编码: BM0084275822
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
6-DIP
包装 : 
管装
重量 : 
0.893g
描述 : 
晶体管输出光耦 DC 达林顿晶体管 150mA 1.2V DIP-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2
按整 :
管(1管有50个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2
--
50+
¥1.82
--
1000+
产品参数
产品手册
产品概述

4N32M参数

输入电压类型DC输出类型达林顿晶体管
正向电压1.2V输出电流150mA
隔离电压(rms)4.17kV反向电压3V
负载电压30V输出通道数1
集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF)1V@2mA,8mA工作温度-40℃~+100℃

4N32M手册

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4N32M概述

4N32M 产品概述

4N32M是一款高效能的光耦合器,广泛应用于各种电子设备和控制系统中,尤其适合隔离和信号传输需求较高的场合。该光耦合器采用达林顿晶体管输出结构,具备高电流传输比,大幅提高信号的稳定性和可靠性,同时保证了信号的高效隔离。

主要参数

  1. 通道数:4N32M光耦合器具有1个通道,适用于低至中等复杂度的信号隔离应用。
  2. 电压隔离:其隔离电压达到4170Vrms,使其在高压环境中工作时,能有效保护下游电子设备,防止高电压对敏感电路造成损害。
  3. 电流传输比:在输入10mA时,其电流传输比最低可达500%,这意味着即使在较小的输入电流条件下,输出仍然能保持良好的响应,适合较为严苛的信号传递需求。
  4. 接通/关断时间:该器件的典型接通和关断时间分别为5µs和最大100µs,表明其在开关操作中表现出色,满足大多数数字信号处理的需求。
  5. 输入和输出类型:光耦的输入为直流信号(DC),而输出采用有基极的达林顿晶体管结构,能够提供较高的电流输出能力。
  6. 最大输出电压和电流:其最大输出电压为30V,单通道输出电流可达150mA,适合大多数一般应用场景。
  7. 正向电压和电流:在典型情况下,该器件的正向电压(Vf)为1.2V,最大DC正向电流(If)为80mA,保证在特定工作条件下的高效传输。
  8. 饱和压降:Vce饱和压降最大为1V,表明在全开状态下,晶体管的压降相对较低,从而降低功耗。
  9. 工作温度范围:其工作温度范围广泛,从-40°C到100°C,可满足多种环境下的应用需求。
  10. 安装方式:产品采用通孔安装方式,便于与标准电路板进行整合。
  11. 封装形式:光耦的封装为6-DIP(0.300",7.62mm),适于各种标准化PCB设计。

应用领域

4N32M由于其卓越的电气特性和高隔离电压,广泛应用于以下领域:

  1. 工业自动化:在各种工业控制系统中,常用于信号的隔离与传递,确保低压控制电路与高压设备间的安全绝缘。
  2. 开关电源:该光耦可用于反馈电路中,提供电流和电压的稳定检测和反馈,提高开关电源的可靠性和效率。
  3. 数据采集系统:在测量和控制系统中,4N32M能够有效隔离传感器和数据采集单元,降低噪声干扰,提升数据的准确性。
  4. 通信系统:在串行通信或数据传输设备中,作为隔离信号的电路部分,能够对信号进行可靠的传递,避免高频或高电压对系统造成影响。

结论

4N32M光耦合器凭借其出色的电气特性、可靠的工作性能和广泛的应用范围,成为电子设计工程师的优选元器件。在现代电子设备和控制系统中,它不仅能够提供必要的信号隔离,还能确保设备的安全与稳定运行。对于追求高性能和高可靠性的应用,4N32M是一个理想的解决方案。