集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 246mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 160@10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 800mV@10mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV@100uA,5.0V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | 输入电阻 | 2.2kΩ |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:MMUN2238LT1G
MMUN2238LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能 NPN 数字晶体管,专为需要高效开关和放大应用的电子电路设计而成。这种型号在多个关键参数上表现出色,使其成为广泛应用于消费电子、工业设备及信号处理电路的理想选择。
晶体管类型与增强特性
电流和电压特性
电流增益(hFE)
饱和压降与截止电流
功率与热管理
封装与安装类型
由于其优越的性能,MMUN2238LT1G 适用于广泛的领域:
总的来说,MMUN2238LT1G 是一款可靠且高效的 NPN 数字晶体管,凭借其优越的 electrical 和 thermal 特性,满足多种应用需求。它不仅提高了电路的可靠性和供电效率,还因其出色的性能规格而成为电子设计中不可获取的一部分。无论是在高频放大还是在开关应用中,MMUN2238LT1G 都能为设计师提供可靠的解决方案。