类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 1.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.287nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMN6040SSS-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET,适用于广泛的电子应用。这款场效应管具有60V的漏源电压(Vdss)、5.5A的连续漏极电流(Id)和超低的导通电阻,适合高效率的电源管理和开关应用。DMN6040SSS-13在电力转换、LED驱动、电机控制和其他高频开关应用中展现出色的性能,是一款兼具可靠性与实用性的元器件。
DMN6040SSS-13 MOSFET具备出色的热性能和电气性能,使之成为高效率电源管理设计的理想选择。其低导通电阻特性不仅可以降低开关损耗,还能够提升整个电路的能效。此外,宽广的工作温度范围使其在极端环境下也能稳定运行,这对于要求严苛的工业应用尤为重要。
对于电源管理而言,DMN6040SSS-13在支持快速开关和低导通损耗方面表现卓越。这使其能够有效地提升转换效率,改善系统的热管理,确保电子设备在各种负载条件下可靠运行。
DMN6040SSS-13广泛应用于以下领域:
综合上述信息,DMN6040SSS-13是一款专为高性能应用设计的N通道MOSFET。其优异的电气性能、可靠的工作特性和广泛的应用领域,使其在现代电子设计中成为不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子、工业自动化还是电源管理,DMN6040SSS-13都能为设计师提供高效稳定的解决方案,帮助其实现更高的产品性能和更低的能耗。