晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMMT5551S-7-F 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 型双配对三极管,其设计满足各种电子应用的需求。作为一款表面贴装型(SMD)元器件,DMMT5551S-7-F 封装在 SOT-26 形式中,因其优良的性能和适应广泛应用而受到市场的广泛欢迎。
高电压和电流能力: DMMT5551S-7-F 在高达 160V 的电压下仍保持稳定,并可处理高达 200mA 的集电极电流。这使得该产品适合在电源管理和开关电路中使用,尤其是在需要高电压和大电流的场合。
低饱和压降: 其最大饱和压降为 200mV,意味着在处理大电流时器件不会过热,有助于提高整个电路系统的效率。
稳定的工作特性: 在 -55°C 至 150°C 的宽温范围内工作,DMMT5551S-7-F 适合在严苛的环境下使用,比如汽车电子设备和工业控制系统。
高频特性: 300MHz 的跃迁频率使其能够在高频应用(如 RF 和通讯设备)中良好表现。
小型化设计: 采用 SOT-26 封装,适合紧凑的电路设计、节省空间并实现更高的集成度。
DMMT5551S-7-F 三极管广泛应用于多个领域,包括但不限于:
DMMT5551S-7-F 三极管凭借其卓越的电气性能、宽温范围和优良的封装特性,成为电子工程师在设计电源和信号放大电路时的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款三极管都展示了其强大的适应性和多样化应用能力。随着现代电子技术的不断发展,DMMT5551S-7-F 将继续满足不断升级的需求,为用户提供更高效、更可靠的解决方案。