DMMT5551S-7-F 产品实物图片
DMMT5551S-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMMT5551S-7-F

商品编码: BM0084325239
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
标准卷带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 160V 200mA NPN SOT-26
库存 :
2128(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.591
按整 :
(1有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.591
--
3000+
¥0.55
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMMT5551S-7-F参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)160V功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@10mA,5.0V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@10mA,1.0mA
工作温度-55℃~+150℃

DMMT5551S-7-F手册

DMMT5551S-7-F概述

DMMT5551S-7-F 产品概述

一、产品简介

DMMT5551S-7-F 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 型双配对三极管,其设计满足各种电子应用的需求。作为一款表面贴装型(SMD)元器件,DMMT5551S-7-F 封装在 SOT-26 形式中,因其优良的性能和适应广泛应用而受到市场的广泛欢迎。

二、主要参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 包装方式: 卷带(TR)
  • 零件状态: 有源
  • 晶体管类型: 2 NPN(双)配对
  • 最大集电极电流 (Ic): 200mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo): 160V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 200mV(在 5mA 和 50mA 时的不同 Ib、Ic 条件下)
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 50nA
  • 最小直流电流增益 (hFE): 80(在 10mA 和 5V 条件下)
  • 最大功率: 300mW
  • 频率 - 跃迁: 300MHz
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOT-23-6
  • 基本产品编号: DMMT5551

三、产品特点

  • 高电压和电流能力: DMMT5551S-7-F 在高达 160V 的电压下仍保持稳定,并可处理高达 200mA 的集电极电流。这使得该产品适合在电源管理和开关电路中使用,尤其是在需要高电压和大电流的场合。

  • 低饱和压降: 其最大饱和压降为 200mV,意味着在处理大电流时器件不会过热,有助于提高整个电路系统的效率。

  • 稳定的工作特性: 在 -55°C 至 150°C 的宽温范围内工作,DMMT5551S-7-F 适合在严苛的环境下使用,比如汽车电子设备和工业控制系统。

  • 高频特性: 300MHz 的跃迁频率使其能够在高频应用(如 RF 和通讯设备)中良好表现。

  • 小型化设计: 采用 SOT-26 封装,适合紧凑的电路设计、节省空间并实现更高的集成度。

四、典型应用

DMMT5551S-7-F 三极管广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 功率放大器: 在射频通讯和音频放大中,提供高效的电源管理。
  • 开关电源: 能在高电流和高电压情况下平稳工作,适合用于各种电源转换和控制应用。
  • 汽车电子: 具有高温工作范围和低电流损耗,非常适合汽车电子控制单元(ECU)。
  • 工业控制系统: 在传感器和驱动电路中,能够提供高可靠性和稳定性支持。

五、总结

DMMT5551S-7-F 三极管凭借其卓越的电气性能、宽温范围和优良的封装特性,成为电子工程师在设计电源和信号放大电路时的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款三极管都展示了其强大的适应性和多样化应用能力。随着现代电子技术的不断发展,DMMT5551S-7-F 将继续满足不断升级的需求,为用户提供更高效、更可靠的解决方案。