D26V0S1U2LP20-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

D26V0S1U2LP20-7

商品编码: BM0084325243
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
UDFN20202
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
瞬态抑制二极管
库存 :
2950(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.733
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.733
--
200+
¥0.505
--
1500+
¥0.46
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

D26V0S1U2LP20-7参数

反向截止电压(Vrwm)26V最大钳位电压44V
峰值脉冲电流(Ipp)110A@8/20us峰值脉冲功率(Ppp)4.8kW
击穿电压28V工作温度-65℃~+150℃@(Tj)
类型ESD

D26V0S1U2LP20-7手册

D26V0S1U2LP20-7概述

D26V0S1U2LP20-7 产品概述

产品简介

D26V0S1U2LP20-7 是一种高性能的瞬态抑制二极管(TVS二极管),专为电压过电压保护而设计。它采用表面贴装型的封装,符合现代电子设备对空间和性能的严格要求。这款元件主要用于保护电路免受瞬态电压冲击,确保电子设备在宽广的工作环境中安全稳定地运行。

主要参数

D26V0S1U2LP20-7 的主要参数包括:

  • 类型: 齐纳二极管,提供低击穿电压与良好的电流承载能力。
  • 单向通道: 1,适合于单向瞬态电压抑制的应用场合。
  • 电压 - 反向断态(最大值): 26V,确保在正常工作状态下不会进入击穿区域。
  • 电压 - 击穿(最小值): 28V,提供可靠的保护临界点,确保电路在受到过电压的瞬态冲击时能够迅速触发保护机制。
  • 峰值脉冲电流(Ipp): 110A,在短时间内能够承受高脉冲电流,为电路提供强有效的保护。
  • 功率 - 峰值脉冲: 4.8kW,能够快速消散输入的过电压,降低对后端电路的影响。
  • 工作温度: -65°C 至 150°C,适合于各种极端环境下使用,确保产品的可靠性。
  • 电容值: 630pF @ 1MHz,低电容特性确保对信号的不干扰,非常适合高频应用。

封装和接口

D26V0S1U2LP20-7 采用 2-UDFN(Ultra Thin Dual Flat No Lead)封装,外形尺寸为U-DFN2020-2。这种封装类型不仅具有出色的散热性能,而且在空间紧凑的设计中可以有效减少占用面积。表面贴装技术(SMT)的应用使其更易于自动化生产并提高了装配效率。

应用领域

这款瞬态抑制二极管在各种电子设备中扮演着至关重要的角色,广泛应用于以下领域:

  1. 消费电子产品: 包括智能手机、平板电脑和便携型设备,保护其内部电路免受电压突变的损害。
  2. 工业设备: 在工业自动化领域中的电机驱动器和控制系统中,为其提供有效的电压保护,降低设备故障率。
  3. 通讯设备: 保护基站、电路板和其他传输设备,抵挡外部电磁干扰和浪涌电压。
  4. 电源管理: 在开关电源、直流变换器等电源系统中,确保输出电压稳定,防止瞬态现象导致的意外损害。

产品优势

D26V0S1U2LP20-7 瞬态抑制二极管具备以下几大优势:

  • 高能量吸收能力: 其4800W的高峰值功率能力能够有效处理强脉冲浪涌,保护其它元件。
  • 宽工作温度范围: 适应多种应用环境,确保产品的长期稳定性和可靠性。
  • 小型化设计: 表面贴装封装使其在空间利用上更具优势,适合紧凑型产品设计。

结论

D26V0S1U2LP20-7 瞬态抑制二极管是一款性能优越、设计先进的保护器件,能够为多种电子应用提供高效的电压保护。其出色的参数和应用潜力使其成为现代电子设备设计中非常理想的选择。无论是在消费电子、工业设备还是通讯设备中,其应用都展示了其出色的保护特性及可靠的工作性能,为提升电子设备的整体稳定性和安全性奠定了基础。