DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7 产品概述

产品简介

DMN1019UVT-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为电流管理和开关应用而设计。该器件由知名制造商 DIODES（美台）生产，其优良的性能指标使其在多个电子产品和电力管理系统中得到了广泛应用。

关键参数

DMN1019UVT-7 具有以下主要特点：

• 漏源电压 (Vdss): 该器件能够承受高达 12V 的电压，适合于中低压的电源管理。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，器件具有 10.7A 的持续电流承载能力，能够满足大多数应用的需求。
• 导通电阻 (Rds On): 在 Vgs 为 4.5V，流经 9.7A 时，最大 Rds On 值为10 毫欧，这在降低功耗和提高工作效率方面表现优异。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值为 800mV，确保在较低的驱动电压下即可实现有效的导通。
• 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 2588pF（在 10V 下），该参数影响开关速度和电路的响应性。
• 栅极电荷 (Qg): 50.4nC 的最大栅极电荷（在 8V 下），意味着在驱动期间所需的栅极电荷较小，从而提高了开关频率。
• 最大功率耗散: 该器件在额定温度下的最大功率耗散为 1.73W，使其能够在高温条件下保持稳定的工作状态。
• 工作温度范围: DMN1019UVT-7 支持从 -55°C 到 150°C 的宽广工作温度范围，适应各种恶劣环境。

封装与安装类型

该 MOSFET 采用 TSOT-26 表面贴装封装，其紧凑的结构优化了 PCB 空间的利用率，适合用于追求小型化、轻量化的电子产品中。TSOT-26 包装设计使其容易焊接并提高了散热性能，适合自动化生产。

应用领域

DMN1019UVT-7 的应用范围广泛，涵盖了众多领域，主要包括：

1. 电源管理: 适合用于开关电源转换器和 DC-DC 转换器中以提高转换效率。

2. 电动车和混合动力汽车: 在电机控制和电池管理系统中起到关键作用，帮助实现高效能和长续航。

3. 消费电子产品: 可用于智能手机、平板电脑及其他便携式设备的电源管理，优化电池使用效率。

4. 工业自动化: 在电控设备和机械手臂中用作开关元件，以实现精准控制。

5. 通信设备: 用于基站和小型基站中，改善信号放大和电源管理能力。

结论

DMN1019UVT-7 以其优秀的电气性能、宽温范围和小型化封装，成为众多电源管理及开关应用中的理想选择。无论是在家庭、工业，还是车载系统中，该 MOSFET 都能够为设计师提供可靠的解决方案，助力实现高效、稳定的电子产品设计。通过结合高效能与灵活性，DMN1019UVT-7 正在推动现代电气工程的进步与创新。