DMP510DLW-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 320mW 50V 174mA 1个P沟道 SOT-323
库存 :
9850(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.251按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.251
--
500+
￥0.167
--
5000+
￥0.146
--
10000+
￥0.132
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP510DLW-13参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 139mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@5V,0.1A |
| 功率(Pd) | 470mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@1mA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 560pC | 输入电容(Ciss@Vds) | 24.6pF@25V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 2.8pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP510DLW-13手册
DMP510DLW-13概述
DMP510DLW-13 产品概述
引言
DMP510DLW-13 是由Diodes Incorporated制造的一款高性能P沟道场效应管（MOSFET），此款器件设计用于高效能和低功耗的应用场景。其优秀的电气性能和小巧的封装使其非常适合于各种消费电子设备、通信设备及其他工业应用。
基本参数
- 制造商: Diodes Incorporated
- 包装形式: 卷带（TR）
- 零件状态: 有源
- 描述: P沟道MOSFET
- 功率: 320mW
- 耐压: 50V
- 最大漏电流: 174mA
- 封装类型: SOT-323
详细规格
电气特性
- DMP510DLW-13的最大功率为320mW，适用于低功耗设计。
- 在高达50V的工作电压下，该器件可以可靠工作，适合各种电流控制和开关应用。
- 最大漏电流为174mA，能够满足大多数低功耗应用的需求。
频率响应
- 由于其MOSFET的固有特性，DMP510DLW-13具有较快的开关速度，能够支持快速切换，适用于高频应用。
温度范围
- 该器件的工作温度范围使其在各种环境条件下都能稳定运行，适用于汽车、工业和消费电子等领域的应用。
应用场景
DMP510DLW-13广泛应用于多种电子设备中。常见的应用场景包括：
- 电源管理: 在电源转换器中作为开关元件使用，可实现高效的功耗管理。
- 电机驱动: 用于控制小型直流电机的启动、停止和调速。
- LED驱动: 在LED照明和显示屏系统中，用于电流的调节。
- 信号开关: 在通信设备中，作为信号开关，实现拓扑优化和信号完整性保障。
封装与散热特性
DMP510DLW-13采用的SOT-323封装，具有小巧紧凑的优势。这种封装形式使得其在空间受限的应用中如智能手机、平板电脑及其他便携式设备中非常受欢迎。此外，良好的散热特性确保器件在高负载情况下仍能保持稳定的工作性能。
竞争优势
与同类产品相比，DMP510DLW-13具有以下竞争优势：
- 高效率: 凭借其低导通电阻，DMP510DLW-13可降低功耗，提升能效。
- 灵活性: 支持广泛的输入电压范围，以适应不同的电源设计需求。
- 可靠性: 通过严格的测试标准，确保长期稳定的工作性能，减少停机时间和维护成本。
结论
DMP510DLW-13作为一款高效能的P沟道MOSFET，不仅在电气特性方面表现出色，而且在封装和应用灵活性上也具备明显优势。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制等领域，DMP510DLW-13都有着广泛的应用前景。凭借Diodes Incorporated的技术支持和质量保证，设计师可以放心选用此款MOSFET以满足其复杂的设计需求。