
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V;20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A;3.1A | 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V;57mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA;1V@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@4.5V;7nC@4.5V | 输入电容(Ciss) | 400pF;530pF |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF;60pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道+P沟道 | 输出电容(Coss) | 70pF;70pF |
DMC2038LVTQ-7 是一款高性能的场效应管(MOSFET),其设计采用了N沟道和P沟道的互补型结构,专门用于表面贴装应用,符合现代电子设备的小型化和高效率需求。封装采用 TSOT-23-6,具有优良的热性能和电气特性,适合在多种电子电路中使用。
由于其出色的电气特性,DMC2038LVTQ-7广泛应用于各种电子领域,包括但不限于:
DMC2038LVTQ-7 作为DIODES(美台)推出的一款先进的MOSFET,凭借其优越的性能参数和广泛的适用性,已成为多种电路设计的重要组成部分。无论是在高效的电源管理,还是在高要求的工业和汽车电子应用中,该元件都提供了出色的解决方案,是现代电子设计领域中不可或缺的关键器件。
对于设计师和工程师来说,DMC2038LVTQ-7不仅提升了电路的整体性能,也提高了系统的可靠性,适用于各种高效、低功耗的电子设备。因此,选择合适的MOSFET将有助于优化整个电路的设计,进而推动电子技术的不断前进与发展。