DMC3071LVT-13
DMC3071LVT-13参数
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A；4.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@3.5A,10V；95mΩ@3.8A,10V |
| 功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.5nC@10V；4.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 190pF@15V；254pF@15V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMC3071LVT-13手册
DMC3071LVT-13概述
DMC3071LVT-13 产品概述
产品名称: DMC3071LVT-13
类型: 互补型MOSFET
品牌: DIODES（美台）
封装: TSOT-26
安装类型: 表面贴装型
一、产品背景
DMC3071LVT-13是一款高性能的互补型MOSFET，用于配合各种电子应用。它包含1个N沟道和1个P沟道MOSFET，能够在多个电源应用场景中提供优良的开关性能和效率。这款器件的设计旨在满足现代电子设备对于低功耗、高效能和小型化的需求。
二、主要特点
高电流承载能力: DMC3071LVT-13的漏极-源极电压(Vdss)高达30V，且在25°C环境温度下可以承载连续漏极电流(Id)为4.6A（在室温下），在较高的温度下（Ta）也能保持3.3A的稳定电流。
低导通电阻: 在3.5A的漏极电流条件下，导通电阻最大为50毫欧，表现出良好的电流通过效率。这一特性对于需要频繁开关的应用尤为重要，因为降低导通损耗可以显著提高整体电源的效率。
良好的开关特性: DMC3071LVT-13在不同栅极电压(Vgs)条件下，栅极电荷(Qg)最大为4.5nC（在10V下），意味着器件能够快速地响应开关信号，提高开关频率，适合用于高频应用场景。
广泛的工作温度范围: 工作温度可以达到-55°C至150°C（TJ），使得DMC3071LVT-13能够应用于恶劣环境和工业级别的应用。
出色的电气特性: 输入电容(Ciss)在不同Vds时的最大值为190pF（在15V下），能有效降低驱动功耗，并帮助简化外围电路设计。
小型封装设计: 采用TSOT-26封装，这使得DMC3071LVT-13适合空间受限的板级设计，为现代电子产品提供了高度集成的可能。
三、应用领域
DMC3071LVT-13的特性使其适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源管理: 可以用于DC-DC转换器、功率管理模块，提高系统的能效和稳定性。
- 开关电源: 适合在开关电源中作为开关器件，降低处理损耗，提升转换效率。
- 电机驱动: 在电机控制系统中提供精确控制和高效驱动。
- 消费电子: 用于智能手机、平板电脑等消费产品中，有助于延长电池续航时间。
- 工业控制: 应用在自动化控制、传感器接口等领域，提高系统的可靠性和响应速度。
四、总结
DMC3071LVT-13集成了优异的电气特性与出色的温度适应性，适合广泛的消费和工业领域。其高效能的驱动能力和小巧的封装形式使其成为设计师在电源管理、开关电源以及电机控制等项目中的理想选择。这款互补型MOSFET不仅满足了现代电子产品对于高性能和小型化的需求，同时也为产品的长效稳定运行提供了保障。随着技术的不断进步，DMC3071LVT-13无疑是开创新一代智能电子设备的一个重要组件。