类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 800mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.6nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 414pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 43pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:DMN2053UWQ-7
DMN2053UWQ-7是一款高性能的N沟道MOSFET,由DIODES(美台)公司生产。其封装采用SOT-323,极为适合小型化电子设备及要求高度集成的电路设计。此款MOSFET在各类应用中表现出色,为客户提供了高效率和可靠性。
基本特性
性能优势
低导通阻抗:DMN2053UWQ-7作为N沟道MOSFET,其导通阻抗较低,在开关工作状态下能显著减少功耗和发热,提高整个电路的效率。
快速开关特性:该MOSFET具备极佳的开关特性,能够支持快速的开关切换,适用于高频信号应用。这使其成为DC-DC变换器、LED驱动器和开关电源等领域的不二选择。
卓越的热管理:尽管在较高的电流下运行,DMN2053UWQ-7依然能够有效管理热量,减少由于发热引起的性能下降,确保器件的长期稳定性。
应用领域
由于其独特的特性,DMN2053UWQ-7广泛应用于以下领域:
总结
DMN2053UWQ-7是一款设计精良的N沟道MOSFET,凭借其高效的电气性能、低导通阻抗、快速开关能力及耐热性,成为了众多电子电路设计者的首选器件。无论是在消费电子、通信、汽车电子还是工业控制领域,它都能以可靠的表现满足现代电子设计的各种需求。DIODES(美台)的这一产品,以其出色的性能和适用性,将为客户的下一代产品开发提供强大支持。