晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
PZTA56是一款由ON Semiconductor(安森美)制造的高性能PNP型三极管,其主要应用于各类电子电路中作为开关和放大器使用。该器件采用SOT-223-4的表面贴装封装,使其在空间受限的应用场合提供灵活的解决方案。其设计重点在于兼具高效性能与宽广的操作温度范围,使其适合于各种工业和消费类电子设备。
电气特性
击穿电压与功率等级
频率响应
工作温度范围
PZTA56采用SOT-223-4的封装形式,便于表面贴装(SMT)工艺应用,减小PCB占用空间,提高了设备的集成度。该封装结构的设计使得该器件在散热方面具备较好的性能,进一步支持高功率应用。
PZTA56适用于多种应用,如:
综上所述,PZTA56是一款高性能的PNP型三极管,具备优异的增益、低的饱和压降和良好的频率响应,同时具有宽广的工作温度和可靠性,适合广泛的应用领域。它的设计不仅关注电气性能,也考虑到封装形式对整体电子设备设计的影响,使其成为工程师在开发新产品时的理想选择。无论是用于基本的开关操作,还是在复杂的信号处理模块中,PZTA56都展示了强大的适应能力和出色的性能表现,将为用户带来可靠的使用体验。