晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@500mA,2V | 特征频率(fT) | 120MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 500nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 350mV@4A,100mA |
2SB1386T100Q 是由 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能 PNP 型三极管,采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为 MPT3(SOT-89)。此款三极管设计用于满足高电流和低功耗应用的需求,具有稳定的性能和高的集成度,是现代电子电路中不可或缺的元器件之一。
电流能力:
电压特性:
增益和频率特性:
工作温度范围:
2SB1386T100Q 的特性使其广泛应用于各种电子设备中,如:
综上所述,2SB1386T100Q 是一款性能优异的 PNP 三极管,以其出色的电流处理能力和频率响应,极低的截止电流和合理的饱和压降,适应现代电子设计中对可靠性和高效能的需求。随着电子元器件技术的发展,类似 2SB1386T100Q 的器件将在更广泛的应用中不断发挥重要作用。无论是在消费电子、通信设备还是在行业自动化方面,它都有可能成为设计工程师的首选组件。