
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 60A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@60A,15V |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 栅极电荷量(Qg) | 306nC@520V |
| 输入电容(Cies) | 7.792nF |
| 输出电容(Coes) | 262pF |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 反向传输电容(Cres) | 158pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 66ns |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 242ns |
| 导通损耗(Eon) | 1.59mJ |
| 关断损耗(Eoff) | 900uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 60ns |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STGW60H65DFB是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其特点是兼备高电压和高电流的能力,非常适用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用。作为一款沟槽型场截止IGBT,STGW60H65DFB设计用于监督高电流和高电压的操作,它的参数使其在多种电力转换应用中具备杰出的性能。
电气特性:
开关特性:
速度性能:
操作温度范围:
封装与安装类型:
STGW60H65DFB广泛应用于诸如电动机驱动、高频逆变器和开关电源等众多场合。其出色的电性能使其在以下具体应用场合中表现尤为突出:
综上所述,STGW60H65DFB是一款具备高电流、高电压及高温操作能力的沟槽型场截止IGBT,适合于各类高效电源转换领域。其优异的开关性能、低导通电压和宽温度范围,使得该IGBT在现代电力电子设计中占有重要地位,特别是在要求高效率、高可靠性的应用中。无论是在工业、能源还是电动汽车等领域,该元件都表现出先进的性能和广泛的应用潜力。