晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 380mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@10uA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA,5.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SBC847BPDW1T1G 是一款由安森美 (ON Semiconductor) 生产的高性能晶体管,属于双极型晶体管(BJT)系列,提供了优异的电气性能和可靠性。该晶体管以其出色的工作特性,适用于各种电子电路中的开关和信号放大应用,是现代电子设备中不可或缺的基本元件。
SBC847BPDW1T1G 由于其优秀的性能和适应性,可广泛应用于以下领域:
SBC847BPDW1T1G 是一款多功能、高性能的 NPN 和 PNP 双极型晶体管,具备良好的电流增益、低饱和压降和更高的工作频率,能够在各种苛刻应用中保持卓越的性能。其广泛的工作温度范围及小巧的封装设计,使其成为现代电子设备设计中一项理想的选择。无论是在消费电子、汽车、工业、还是通信领域,SBC847BPDW1T1G 都将以其出色的性能和可靠性,为您的设计带来更大的灵活性和高效性。