晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 800mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@10mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BCW68GLT3G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能PNP型双极性晶体管 (BJT)。该器件特别适用于需要高电流和高电压处理的各种电子电路,具有优良的线性特性和开关性能。它的设计考虑了广泛的应用场景,包括线性放大器、开关电源和其他通用电子应用,因此在现代电子产品中得到了广泛的认可。
BCW68GLT3G采用SOT-23-3 (TO-236)表面贴装封装,这种紧凑而有效的封装类型使得器件在空间受限的板级设计中非常适用。表面贴装技术不仅简化了自动化焊接过程,还提高了PCB的设计灵活性,减少了整体电路的尺寸。
BCW68GLT3G的多种特性使其在不同的电子应用中非常受欢迎,包括但不限于:
BCW68GLT3G是一款功能强大的PNP晶体管,凭借其优越的电气特性和宽广的工作环境,成为各类电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,该器件都能为设计工程师提供高性能和高可靠性的解决方案。安森美半导体提供的文档和支持,助力工程师更好地应用这一元器件,满足日益增长的市场需求。通过选择BCW68GLT3G,设计师们可以确保其产品在功能性和可靠性上的优秀表现。