晶体管类型 | 2个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.1V@5mA,5V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.9V@5mA,5V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@5mA,0.25mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDA123JU-7-F 产品概述
DDA123JU-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的数字晶体管。它采用 SOT-363 封装,兼具紧凑型和高性能的优点,是多个电子电路应用中的理想选择。这款晶体管的设计特征使其在现代电子设备中得到广泛应用,尤其是在需要高效开关和信号调节的场合,如信号放大、开关电源和射频电路。
DDA123JU-7-F 是一个预偏置的双 PNP 晶体管,具有以下重要参数:
电流 - 集电极 (Ic):其最大允许集电极电流为 100mA,这意味着在这种电流下,晶体管能够稳定工作而不损坏。
电压 - 集射极击穿 (Vce):该部件的最大集射极击穿电压为 50V,确保其在高电压操作环境中稳定性。
功率 - 最大值:在最佳条件下,该产品的最大功率为 200mW,使其在多种应用中保持高效能。
频率 - 跃迁:DDA123JU-7-F 具有高达 250MHz 的频率跃迁能力,这使其适用于高频信号处理。
DDA123JU-7-F 的 DC 电流增益 (hFE) 在不同的 Ic 和 Vce 条件下表现出优异的性能。在 10mA 和 5V 时,hFE 的最低值可达到 80,确保其在放大信号时的效率和稳定性。此外,在 250µA 和 5mA 时,Vce 的饱和压降最大值为 300mV,降低了功耗与热量的产生,从而提高了电路的整体效率。
此晶体管的基极和发射极配置也值得注意。基极电阻 (R1) 设置为 2.2kΩ,发射极电阻 (R2) 为 47kΩ。这些电阻值帮助优化了电流流动,从而有效管理功率损耗并确保电路的稳定性。
DDA123JU-7-F 的 SOT-363 封装采用表面贴装技术(SMD),适用于高密度电路板的设计。其小巧的尺寸和轻便的重量使得它非常适合于移动设备、便携式电子产品以及空间受限的应用中。
由于其卓越的性能特征,DDA123JU-7-F 广泛应用于多种电子产品的设计中,包括但不限于:
无线通信设备:其高频率特性使其在射频放大器和开关调节器中表现出色。
线性功率放大器:在音频放大器及传感器信号处理电路中,DDA123JU-7-F 可以提供稳定的增益。
数字电路:可以用在各种数字逻辑电路中,以实现高效的信号开关和电流控制。
总体来说,DDA123JU-7-F 是一款高效能、功能丰富的数字晶体管,适合于多种现代电子应用。凭借其出色的电流增益、饱和压降、频率响应及可靠的化学和物理性质,该产品无疑可以满足高性能电路设计的需求。无论是在消费电子、无线设备,还是在工业控制系统中,DDA123JU-7-F 都提供了理想的解决方案,确保电子设计的可行性与高效性。