晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 50mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 400@1.0mA,5.0V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT5089LT1G 是由ON Semiconductor(安森美)生产的一款NPN型三极管(BJT),其采用表面贴装(SMD)封装,具体型号为SOT-23-3(TO-236)。该器件专为高频信号放大和开关应用而设计,适用于各种电子设备中的信号处理和功率管理。它具备良好的性能指标,如高电流增益和较低的饱和压降,使其在现代电子设计中广受青睐。
MMBT5089LT1G 的优良性能使其广泛应用于各种电子设计,包括但不限于以下几个领域:
信号放大: 由于其高电流增益,MMBT5089LT1G 适合用于音频和视频信号的放大器电路中,以提高信号的幅度和质量。
开关电路: 在开关电路设计中,该三极管可以用作开关元件,控制电路中的电流流向,适用于继电器驱动和LED控制等应用。
高频与射频应用: 具备50MHz的跃迁频率,使得MMBT5089LT1G 可以在射频及调制解调器等高频信号处理应用中有效工作。
便携式设备: 适用于手机、平板电脑和其他便携式设备中,由于其小巧的SOT-23-3封装,能够在空间受限的设计中充分发挥性能。
工业控制: 由于其宽广的工作温度范围,MMBT5089LT1G 也非常适合于工业自动化和控制系统,能够在严酷环境下稳定工作。
MMBT5089LT1G 是一款功能强大且灵活的NPN型三极管,能够满足多种高性能电子应用的需求。其优越的电流增益特性,以及低功耗和宽广的工作温度范围,使其在现代电子设备的设计中占据重要位置。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,MMBT5089LT1G都能为设计师提供可靠的性能和有利的解决方案。作为ON Semiconductor旗下的产品,其品质和稳定性也得到了业界的认可,是您在电子设计中值得信赖的选择。