晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 500@100uA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA,5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMBT6429LT1G是一款高性能的NPN晶体管,由ON Semiconductor(安森美)制造,专为广泛的低功耗及高频应用设计。这款三极管以SOT-23-3(TO-236)封装形式提供,具有小巧的体积,适应现代电子设备追求紧凑设计的需求。无论是消费类电子、工业控制,还是通讯设备,MMBT6429LT1G都展现出卓越的性能和可靠性。
MMBT6429LT1G广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于以下领域:
MMBT6429LT1G的封装为SOT-23-3(TO-236),其表面贴装设计不仅节省了空间,还减小了引线电感,适合自动化生产线的贴装需求。小型封装使得该器件可以轻松集成到各种紧凑的电路板设计中,提供了更多的设计灵活性。
总的来说,MMBT6429LT1G是一款性能强大的NPN晶体管,特点包括高电流增益、低饱和压降和高跃迁频率。它适合多种应用场合,能够胜任从基本的开关功能到复杂的放大任务,满足现代电子产品对高性能、低功耗和小型化的需求。选择MMBT6429LT1G将为您的项目提供出色的电气性能和广泛的应用灵活性,是开发高效能电子产品的理想选择。